半導体

SiC MOSFETs(1200V)：調査・ベンチマークレポート (2025年版)

背景

　近年、SiC搭載、採用のアプリは増加しており、SiCに関する発表や活動が活発に行われています。
　主な状況としては下記。

大手SiCデバイスメーカーは第4世代技術に参入。
　　単位面積当たりのオン抵抗RONxAは、200mΩ・mm2未満に低減。
SiCウェハの製造量の増加、製造歩留まりの向上に伴い、SiCウェハの価格が大幅に低下。
中国のSiCウェハメーカー（Tankeblue、SICCなど）は、量産と低価格のウェハを提供しており、　デバイスメーカーも採用するようになっています（例：Tankeblue-Infineonなど）。

エルテックは、各社状況と解析技術動向から、2025年版の最新のSiC MOSFET技術調査およびベンチマークレポートをリリースしました。本レポートの目的は、世界のSiC MOSFET業界の技術進化とその現状と展望を追跡することとなります。

レポート内容 (P.3, 4の目次参照)：

　SiC トランジスタの技術動向と進化の分析は、2014 年以降に解析を行った約 60 製品のデータに基づいており、主要なSiCデバイスメーカーの第1世代から最新の第4世代までのデータが含まれています。
STMicro、INFINEON、Wolfspeed、ROHM、TOSHIBA、ONSEMI、NEXPERIA/Mitsubishi、DENSO、BOSCH (P.6を参照)
　
レポート内容

SiC ウェハの主要サプライヤーと主要なSiC トランジスタメーカー
SiC トランジスタの技術進化とパフォーマンス向上の傾向
　　　ピッチサイズの縮小、それともトランジスタの性能の向上か?
　　　技術トレンドと新しい発表? (⇒SuperJunction)
非常に低い RON（≤10ｍΩ）トランジスタの新たな制限★
新しいSiCウェハ (⇒貼り合わせSiC、PolySiC基板)
SiC 生ウェハ価格と SiC デバイス加工ウェハコスト（PEC）の推定と考察
SiC MOSFET は安価になっているか? ASP (平均販売価格) は下降傾向にあるか?
SiC ベーストランジスタと Si ベーストランジスタのコスト/価格比について
　　2022 年から 2024-25年にかけての変化について