半導体

SiC MOSFET (1200V)：短絡耐量調査・ベンチマークレポート (2025年版)

レポート概要

　LTECは2020年に世界初のSiC MOSFETの短絡耐性評価・比較レポート (19G-0025-1）を、2023年には第3世代および第4世代デバイス技術を網羅したアップデートレポート（22G-1100-1）をリリースしました。
　2023年以降は、新たな先進トランジスタと中国メーカーのSiC MOSFETを評価しています。今回、アップデートレポートとして、2025年度版の短絡耐性評価・ベンチマークレポートをリリースしました。今回のレポートには以下のトランジスタが含まれています。

さらに、本レポートには、比較/ベンチマークの目的で、ROHM G4 および Wolfspeed G3 SiC トランジスタのデータも含まれています。
● 本レポートでは、実際の短絡試験、トランジスタの構造解析、物理モデリング、シミュレーションを使用したトランジスタの短絡耐性に関する評価および解析データをまとめています。

解析内容＆レポート価格

レポート価格：¥850,000 (税別) 　発注後1weekで納品
　短絡耐量（SCWT）試験結果

短絡（SC）時のゲート酸化膜リーク電流は、劣化の前兆メカニズムとして認識されます。
さらに、ゲート電流が流れ始める時間（t1）の比較は、技術の堅牢性、品質、保護回路の設計マージンの指標として評価されます。
中国製 SiC MOSFET の SCWT とゲート酸化膜の品質を、世界トップクラスのメーカーの製品と比較行っています。
短絡耐量（SCWT）を規定しているメーカーは少ないものの、当社ではオン抵抗（RON）との依存関係とトレードオフを明確に定義し、評価対象のすべてのデバイス間で比較しています。

No.1～No.5の各製品については、それぞれ詳細な短絡耐量調査レポートも
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