半導体

SiCパワ-モジュール(1200V)：STMicroelectronics製M1F45M12W2-1LA モジュール構造解析レポート


SiC パワーモジュール	SiC MOSFET

レポート概要

　世界でも主要なSiCデバイスメーカーであるSTMicroelectronicsからオンボードチャージャー（OBC）向けとして車載用SiCパワ-モジュールが発売されました。

OBCシステムにSiC MOSFETを使用するメリットは、より高い周波数でスイッチングできること、電力密度の向上、効率の改善、EMI 性能の向上、システムサイズの縮小という点が挙げられます。

　本モジュールは、エネルギー効率と高いスイッチング周波数のバランスを取り、高い電力密度と効率で複雑なトポロジを可能にします。また、溝付き設計により沿面距離が長くなり、安全性が向上します。

　今回、本製品のパッケージ構造に注目し、パッケージ内部レイアウトや絶縁基板、ダイアタッチなど実装技術を明らかにしたレポートをリリースします。

型番：M1F45M12W2-1LA 1200V　26A　100mΩ　製品リリース日：2023年1月

・同社初のOBC向け製品となり、DMT-32タイプのパッケージも初となる。

SiCモジュール構造解析レポート　価格￥350,000 （税別) 　 発注後1weekで納品

　・除熱効率を高めるため、AlN誘電体を用いたDBCを採用している。

　・搭載チップは同社製の第2世代プレーナー型　1200V SiC MOSFET（4個搭載）。

　・DBC基板上部電極のチップ実装面を非平坦にすることで接着強度を向上。

フィラ―などの無機材料の形状や材料はSEM＋EDXで特定出来ますし、
オプション解析として、樹脂材の分析（FT-IR、TG、DSC）も対応可能ですので、

ご要望がございましたらエルテックまでお問合わせ下さい。

・その他当社リリースレポートはこちら

一覧へ戻る