半導体
Si SJ MOSFET(600V)：東芝DS DTMOSVI TK024N60Z1 概要解析レポート
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| パッケージ写真 | Si MOSFETチップ写真 |
概要
2025年3月、東芝DSからSuperJunction構造のDTMOS VI 600V Si MOSFETの中で最小のオン抵抗(=24mΩ(max))製品である「TK024N60Z1」が発売されました。本製品は産業用機器等の電源回路の高効率化に貢献します。
本製品は既存世代品DTMOS IV-Hと比較して、スイッチング性能の指標となるRon x Qgdを約52%低減しており、これに関して競合他社品(Infineon CoolMOS C8)よりわずかに優位に立っています。今回、本製品の構造の特徴について明らかにした概要、構造解析レポートをリリースしました。
製品特徴
| 型番: TK024N60Z1 Vdss = 600V, Rds(on)(typ.) = 20mΩ, Id = 80A 製品リリース日: 2025年3月 |
- アプリケーション: データーセンター向けサーバーや産業用機器のスイッチング電源向け
レポート内容＆価格
①概要解析レポート 価格： ￥300,000(税別) 発注後1weekで納品
前世代品(DTMOS IV-H)との違い:
- トレンチゲート構造からプレーナゲート構造に変更。
- Ron x Qgdを約50%低減、Ron x AAを約15%低減。
※上記P-Nピラーのドーピングとセル平面レイアウトの変更が起因していると推定。
➁構造解析レポート 価格： ￥600,000(税別) 発注後1weekで納品
①概要解析レポートよりもチップ構造を詳細に解析したレポートになります。
- 前世代品(DTMOS IV-H)と比較して、セル平面レイアウトが変更。
- 外周部の耐圧構造として、セル部と同様のピラーが形成。
※➀のレポートをご購入されたお客様が、②のレポートをご購入される場合は、30万引きにてご提供させて頂きます。
レポートパンフレット
25G-0069-1, 25R-0069-2 Br-L2 Si SJ MOSFET(600V)：東芝DS DTMOS VI TK024N60Z1 概要、構造解析レポート (Release)
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