Si SJ MOSFET(600V)：東芝DS DTMOSVI TK024N60Z1 概要解析レポート

パッケージ写真	Si MOSFETチップ写真

概要

　2025年3月、東芝DSからSuperJunction構造のDTMOSVI 600V Si MOSFETの中で最小のオン抵抗(=24mΩ(max))製品であるTK024N60Z1」が発売されました。本製品は産業用機器等の電源回路の高効率化に貢献します。
　本製品は既存世代品DTMOSIV-Hと比較して、スイッチング性能の指標となるRon x Qgdを約52%低減しており、これに関して競合他社品(Infineon CoolMOS C8)よりわずかに優位に立っています。今回、本製品の構造の特徴について簡易にまとめた概要解析レポートをリリースしました。

製品プレスリリースURL: https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/articles/600v-super-junction-structure-n-channel-power-mosfet-dtmos6-series-tk024n60z1-improves-efficiency-of-power-supply.html

製品特徴

データシートURL:https://toshiba.semicon-storage.com/info/TK024N60Z1_datasheet_ja_20240522.pdf?did=158081&prodName=TK024N60Z1

• アプリケーション: データーセンター向けサーバーや産業用機器のスイッチング電源向け

解析結果概要 (レポートの目次はP.2参照)

概要解析レポート　　価格：　￥300,000 (税別)　　発注後1weekで納品

• 本製品は、前世代品(DTMOSIV-H)からゲート構造をトレンチ型からプレーナ型に変更。
  DTMOSⅥシリーズで最小のオン抵抗 (0.024Ω (max) (VGS=10V))、Ron x Qgdの低減に起因していると推定されます。

レポートパンフレット

25G-0069-1 Br-L2 Si SJ MOSFET(600V)：東芝DS DTMOSVI TK024N60Z1 概要解析レポート (Release)

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