半導体
SiCパワーモジュール(2300V)：Wolfspeed CAB6R0A23GM4T モジュール、SiC MOSFET概要、構造解析レポート
 |
 |
|
| モジュール俯瞰像 正面 | モジュール内部レイアウト | SiC MOSFETチップ |
レポート概要
現在、再生可能エネルギー業界において太陽光発電やエネルギー貯蔵などの市場は急速に成長しており、1500V DCアプリケーションの需要が高まっています。2024年9月、大手SiCメーカーのWolfspeed社は、そのアプリケーション向けに2300V SiCパワーモジュールを発売しました。
現状、 2000V帯の高耐圧SiCデバイスは、各社のラインナップが少なく、 Wolfspeedでは初の製品です。
今回、本製品の構造とその特徴を明らかした、下記3つのレポートをリリースしました。
製品特徴
|
データシート: https://assets.wolfspeed.com/uploads/2024/09/Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf
- アプリケーション：ソーラーインバータ、エネルギー貯蔵システム、高効率コンバータ、インバータ
解析結果概要 (解析内容の詳細につきましては、P.2, 4, 6を参照)
- モジュール構造解析レポート 価格 ￥450,000 (税別) 発注後1weekで納品
- SiC MOSFET概要解析レポート 価格 ￥300,000 (税別) 発注後1weekで納品
- SiC MOSFET構造解析レポート 価格 ￥750,000 (税別) 発注後1weekで納品
- 第4世代SiC MOSFETチップ(Honeycomb型セル構造) を搭載 RonAA = 516 mΩ・mm²。
- 破壊電圧BVdssの測定の結果、十分なマージンがあることを確認しました。
- 同社製第4世代1200V品と比較してエピ膜厚やチップ外周部のJTE、GR構造(注入幅等)が異なります。
- 断面構造解析の結果、コンタクト部に懸念点が確認されています。
レポートパンフレット
・その他当社リリースレポートは こちら
