WOLFSPEED(Cree)第3世代SiC系MOSFET C3M0065090D) 構造解析、プロセス解析レポート

・WOLFSPEED(Cree)第3世代SiC系MOSFET C3M0065090D) 構造解析、プロセス解析レポート

WOLFSPEED(CREE社) 第3世代SiC系NチャンネルPower MOSFETである、C3M0065090Dの構造解析、プロセスレポートをリリースしました。この第3世代の製品は、耐圧900V, 36Aの仕様で、単位面積当たりのオン抵抗(RON×A)が423mΩ×mm2と非常に低いことが特徴として挙げられます。
※ Si系SJMOS C7世代のRONxAは、 ~1000mΩ×mm2
本レポートでは、その低オン抵抗を実現するためのデバイス構造、材料と技術を
明らかにしています。