SiC MOSFET(1200V)：LGE LGE3M18120Q 概要解析レポート

パッケージ	SiC MOSFETチップ

レポート概要

　中国は2024年のSiCパワー半導体の販売額で、上位10社中3社を占めるほどにシェアを伸ばしています。今後もEV（電気自動車）や再生可能エネルギー分野他、様々な分野への採用が拡大していくと予測されます。
中国のSiCパワー半導体への参入企業は増加しており(推定100社程度)、エルテックでは、BYD、Basic、三安やInventchipといった主要メーカーのSiC技術レベルの確認を行っておりますが、主要メーカー以外の調査も中国のレベルを確認する上で重要と捉えています。
今回、中国LGE (Luguang Electronic Technology)社のSiC MOSFETについて、その技術レベルを確認した概要解析レポートをリリースしました。

製品特徴

データシート：LGE3M18120Q データーシート

アプリケーション
　モータードライバー、太陽光/風力インバータ、EV充電ステーション、
　AC/DC、DC/DCコンバータ、無停電電源装置(UPS)など

解析内容＆レポート価格

概要解析レポート価格¥300,000 (税別) 発注後1weekで納品

• 断面解析により、セル部、チップ端部とEpi層構造の確認を行っています。
• 主要メーカー（Basic、Wolfspeed等）と面積当たりのオン抵抗やセルピッチなど技術レベルの比較を行っています。

本製品の詳細な構造解析レポート(予定価格￥600,000)のご要望がございましたら、
エルテックまでお問い合わせください。

レポートパンフレット

SiC MOSFET(1200V)：LGE LGE3M18120Q 概要解析レポート (Release)

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