半導体
SiC SBD (1200V)：中国3社 (Global Power Technology, Inventchip, Sanan) 概要解析比較レポート
レポート概要
エルテックでは、SiC SBDに関するベンチマークレポートやInfineon社など世界大手メーカーのSiC SBD構造解析レポートを販売しておりますが、現在台頭が目立つ中国メーカーのSiC SBD製品についても同様に着目すべきと捉えています。今回、中国主要メーカーの内、下記3社の最新世代SiC SBDについて、概要解析および電気特性評価を行ない、その特徴や技術レベルを明らかにしたレポートをリリースしました。
解析対象製品
| メーカー | 型番 | VRRM | 製品リリース |
|---|---|---|---|
| Global Power Technology | G5S12050PM | 1200V | 2022年 |
| Inventchip | IV3D12020T2 | 1200V | 2024年 |
| Sanan | SDS120J010C3 | 1200V | 2023年 |
各製品のデータシート
- G5S12050PM : https://www.globalpowertech.cn/download/common/assets/upload/2022/0517/105930s5.pdf
- IV3D12020T2 : https://www.inventchip.com.cn/uploadfiles/datasheet/sbd/IV3D12020T2.pdf
- SDS120J010C3 : https://www.sanan-semiconductor.com/Public/Uploads/uploadfile/files/20250312/SananSemiconductorSDS120J010C3Datasheet.pdf
解析内容&レポート価格
概要解析、電気特性比較レポート予定価格¥750.000(税別) 発注後1weekで納品
解析対象の中国メーカー3製品の、
- チップ(チップサイズ、活性領域面積など)
- セル構造(チップ厚、エピ層厚、セル断面構造)
- 実測の電気特性データ(順方向電流、逆方向漏れ電流、容量特性、破壊電圧特性)
について、およびこれらについて他社主要メーカー(STMicro社、Wolfspeed社)の前世代品との比較も行なっており、中国製SiC SBDの特徴についてまとめています。
Sanan製品については性能指標である単位面積当たりのオン抵抗(RF×AA)、電流密度IF/AAなど主要メーカーの前世代品に匹敵する性能が確認されています。
電気特性評価については、破壊電圧BVrr特性については差はあるものの十分なマージンを確保、逆方向漏れ電流についてもSTMicro社と同等以下のレベルであることが確認されました。
