半導体
SiCパワーモジュール (1200V)：StarPower MD22HFS120N6HY モジュール、搭載SiC MOSFET解析レポート
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| モジュール外観 | 搭載SiC MOSFETチップ |
レポート概要
2024年6月、中国StarPower Semiconductorは、800V EV駆動用SiCパワーモジュール を発表しました。
本モジュールは、1200V SiC MOSFETを使用した非常に低いオン抵抗が特徴で、800 Vオンボード電源環境でも使用することが可能。モールド封止された片面冷却構造となっており、PINFIN構造を備えたソリッド銅ベースプレート、AMB(Si3N4)基板が採用などから、同社の現行のトレンド追随、信頼性への考慮がうかがえる製品となっています。
本レポートは、このモジュール構造解析、搭載SiC MOSFETの概要、構造解析と同製品の特徴を明らかにするレポートになります。
製品特徴
| 型番： MD22HFS120N6HY VDSS=1200V、ID=648A、RDS(ON)=2.12mΩ 製品リリース日：2024年6月 |
データシート：https://www.powersemi.com/Upload/Products/202407//pdf/MD22HFS120N6HY.pdf
- ハーフブリッジモジュール 2 in 1-package
- アプリケーション：ハイブリッド車および電気自動車、モータ駆動用インバータ
解析内容＆レポート価格
- モジュール構造解析レポート： 価格￥650,000（税別) 発注後1weekで納品
- SiC MOSFETのSourceボンディング部にはCuのパッドが形成されています。
- SiC MOSFETとAMB基板および上記パッドとの接続にはAgシンターを使用。
- 搭載SiC MOSFET概要解析レポート： 価格￥350,000（税別) 発注後1weekで納品
- 本製品のRon x AAは、STMicro製第3世代SiC MOSFETに匹敵します。
- 搭載SiC MOSFET構造解析レポート： 価格￥700,000（税別) 発注後1weekで納品
- ゲート絶縁膜は、一般的なプレーナ型のSiC MOSFETより薄く形成されています。
レポートパンフレット
(25G-0386-1,2,3)SiCパワーモジュール (1200V)：StarPower MD22HFS120N6HY モジュール、搭載SiC MOSFET解析レポート
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