半導体

SiC MOSFET(3300V)：Shenzhen AST Technology ASC80N3300MT4 概要、構造解析レポート


パッケージ	SiC MOSFET die

レポート概要

　 Shenzhen AST Technologyは、中国深圳市に拠点を置く、SiCチップの設計からモジュールパッケージングまでの一貫した技術を保有するメーカーです。同社は中国で初めて3300V SiC MOSFETチップの量産ラインを構築し、製品の供給を開始したと報告されています。また、同社の製品は中国市場におけるコストパフォーマンスと供給安定性において高い評価を　得ていると言われており、中国では注目している企業の一つです。
　3300Vという高耐圧品は、主に鉄道や電力インフラといった「超高電圧・大電力」を扱う分野で急速に高まっています。そのような背景もあり、エルテックでは、3300Vや2300Vの高耐圧品の解析レポートも企画、作成していくことを予定しています。
　今回、同メーカーの3300V SiC MOSFETについて、その特徴を明らかにするとともに、同等高耐圧製品との比較も行ったレポートをリリースしました。

製品特徴

型番： ASC80N3300MT4 Vds= 3300V, Id=80A, Ron=40mΩ 製品リリース日：2024年

データシート：https://www.astsic.com/filedownload/2995782
- 同社第3世代技術採用
- アプリケーション： DC/DCコンバータ、スイッチング電源、太陽光発電インバータ、EV充電

解析内容＆レポート価格

① 概要解析レポート：価格￥330,000（税別)　発注後1weekで納品
- パッケージ、チップ観察、SiC MOSFET断面解析（セル部、終端構造）

② 構造解析レポート：　価格￥750,000（税別)　発注後1weekで納品
- セル平面レイアウト構造は六角形型。
- 他社との比較では、Ron x AA、セルピッチ、セル平面レイアウト構造を、NoMIS Power、Microchipの3300V製品と比較を行っています。
  ※NoMIS Power 3300V SiC MOSFETの構造解析レポート(25G-1089-1)は販売中、　 Microchip 3300V SiC MOSFETの構造解析レポート(26L-0040-2)は企画中です。

下記のレポートは企画中です。ご興味がございましたら、お問い合わせください。