半導体

SiC MOSFET (1200V)：CRRC Times Semiconductor 概要、構造解析、短絡耐量評価レポート


パッケージ (TM40S12B1C-304B)	SiC MOSFETチップ (TM40S12B1C-304B)

レポート概要

　CRRC Times Semiconductor (株洲中車時代半導体)は、中国鉄道大手CRRCグループの中核半導体
メーカーであり、鉄道輸送機器やEV向けパワー半導体の開発・製造を手掛けるIDM企業です。
　同社は近年SiCデバイスの開発を積極的に推進しており、1200V SiC MOSFETは低オン抵抗と低スイッチング損失を特長とする高性能デバイスとして注目されています。中国メーカーのSiC技術は急速に進展しており、その技術レベルを把握することは、今後の市場動向や競争力を評価する上で重要な指標となります。
　本レポートは、同社の1200V SiC MOSFETを対象に、デバイス概要、構造解析（TM40S12B1C-304B）、および短絡耐量評価（TM80S12B1B-304B）を実施しました。セル構造やプロセス技術、ならびにデバイス特性を詳細に解析し、同社 SiCパワーデバイスの設計思想や実装技術を把握するためのベンチマーク資料としてご活用いただけます。

製品特徴

型番： TM40S12B1C-304B 　Vds=1200V, RON=35mΩ, Id=62A 製品リリース日：2025年10月
　　　 TM80S12B1B-304B 　Vds=1200V, RON=77mΩ, Id=30A 製品リリース日：2024年11月

製品情報：TM40S12B1C-304B、 TM80S12B1B-304B
- 同社Gen3 SiC MOSFET
- Application：車載充電器、DC-DCコンバーター、バッテリー充電器、ソーラーインバータ

解析内容＆レポート価格

①概要解析レポート：価格￥300,000（税別)　　発注後1weekで納品
- チップ観察、測長、SiC MOSFETのセル部(SEM)
- 他社製品との比較

②構造解析レポート：価格￥650,000（税別)　　発注後1weekで納品
- ①概要解析レポート + 平面構造、レイアウト解析
- P well コンタクト部ではSiC基板をリセスエッチングして接続されます(P+リセスコンタクト)
- セルピッチはSTMicro製SiC MOSFETより約20%狭く、オン抵抗(Ron)とトランジスタ面積(AA)をかけたRonxAAは一般的なSiC MOSFETの第3+世代相当です。