半導体

SiC MOSFET (1400V) Infineon IMYR140R006M2H パッケージ、SiC MOSFET解析レポート


TO-247PLUS-4　IMYR140R006M2H

レポート概要

2025年10月、InfineonはTO-247PLUSパッケージの1400V CoolSiCを発表しました[1]。
本製品は、約6mΩという超低オン抵抗と約188Aの高ドレイン電流を実現する大面積SiCチップを搭載しており、xEV充電器、バッテリーエネルギー貯蔵システム(BESS)、商用車、建設機器、農業機械など、高出力アプリケーションへの適用を目的としています。
　エルテックでは、販売中の1400V CoolSiC MOSFETの構造、電気特性、SCM解析レポート (25G-0584-1-4：IMZC140R038M2H)に続き、本製品を対象としたパッケージ・実装構造およびチップ構成・配置について解析しており、 Infineonの最新SiCパワーデバイスの設計思想や実装　技術を把握するためのベンチマーク資料としてご活用いただけます。
[1] https://www.infineon.com/market-news/2025/INFGIP202510-010

製品特徴

型番： IMYR140R006M2H Vdss=1400V, RON=5.8mΩ, Id=188A (100℃) 製品リリース日：2025年10月(データシート)

データシート：IMYR140R006M2H
パッケージ: TO-247PLUS-4

解析内容＆レポート価格

① パッケージ構造解析レポート　価格 ¥400,000 (税別)　　発注後1weekで納品　
- 同シリーズであるTO247-4 (IMZC140R038M2H)とチップ実装可能面積を比較すると、約1.5倍のチップ実装可能面積があり、大型(低オン抵抗)チップの実装が可能な製品です。
- .XT Technologyを使用した超薄型ダイアタッチが形成されています。

②SiC MOSFETチップ構成と配置の解析レポート　価格¥350,000 (税別) 発注後1weekで納品
- 本製品のオン抵抗(Ron)とトランジスタ面積(AA)をかけたRonxAAは、同社製SiC MOSFETの第2世代と同等レベルです。
- チップサイズと欠陥密度が製造歩留まりに与える影響について考察しています。