半導体

GaN FET (650V) ：Navitas Bidirectional GaNFast NV6428 構造解析レポート


パッケージ	GaN FETチップ

レポート概要

　2025年、Navitasは世界で初めて650V耐圧の双方向GaNの量産化を発表しました。従来、双方向の電圧・電流制御には複数のディスクリートMOSFETが必要でしたが、双方向スイッチを単一チップに集積することで、部品点数の削減と回路の小型化を実現し、EVのOBC（車載充電器）やAIサーバー、太陽光発電システムなどの小型化・高効率化に貢献します。
　Navitasの双方向GaNには、双方向動作時の基板電位を適切に制御するため、基板電位制御回路がモノリシックに集積されています。基板電位を最低電位側のソース端子に追従させることで、双方向動作における安定した性能と信頼性を確保しています。
　本レポートでは、本製品の特徴である双方向スイッチ部のデバイス構造解析に加え、基板電位制御回路の構造・回路構成を詳細に解析しています。

製品特徴

型番： NV6428 VSS= 650V, RDS (on)=52mΩ 製品リリース日：2025年3月

データシート：https://pub-150cde031a144c9cab24518fd4685165.r2.dev/NV6428_datasheet.pdf
- GaNFast™ technology

解析内容＆レポート価格

① GaN FET構造解析レポート：価格￥900,000（税別) 　発注後1weekで納品
- 双方向スイッチ部の平面レイアウト及び断面構造解析を行っています。
- Si基板の電位制御について、Si基板とExposed Padの接続構造および回路を構成している、
  GaN FET、Capacitorの平面、断面構造からデバイス構成を詳細に分析しています。
- 同社製GaN FET(NV6514C : GaNsafe)とGaN Epi層の層構成および各膜厚を比較しています。