半導体

RC-IGBT (1200V)：富士電機 2MBI1000XRNE120-50 モジュール、RC-IGBT構造解析レポート


モジュール外観	RC-IGBTチップ

レポート概要

　富士電機は第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールを開発し、低損失化と高信頼性を両立して高パワー密度化を実現した。さらに、IGBTとFWDをワンチップ化したRC-IGBTを採用し、定格電流を従来の600Aから1000Aへ拡大しています※1。
　本レポートは、モジュールおよびチップの詳細構造、および電気特性評価を実施し、その特徴について明らかにしたレポートになります。

※1 https://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/information/__icsFiles/afieldfile/2024/11/29/MTET0-3480a.pdf?_gl=1*1tdeumd*_ga*MjA0MTM0MTA5NS4xNzkxNzU5OTk2*_ga_YGMNRLDSD5*czE3OTE3NTk5OTUkbzEkZzEkdDE3OTE3NjAwODYkajMxJGwwJGgw

製品特徴

型番： 2MBI1000XRNE120-50 Vce=1200V、Vce,sat=2.8V 、Ic=1000A　製品リリース日：2021年10月

データシート：2MBI1000XRNE120-50
第7世代(Xシリーズ)RC-IGBT

解析内容＆レポート価格

モジュール、RC-IGBT構造解析レポート：　価格 ¥1,600,000 (税別) 　発注後1weekで納品
( RC-IGBT構造解析レポートのみの場合：価格 ¥900,000 (税別) )
- セル部のレイアウトは2019年に解析した同社製車載モジュール(6MBI800XV-075V-01)に搭載されているRC-IGBTと概ね同一になります※2。
- モジュールの絶縁基板には添加剤を含む絶縁層が含まれています。
- RC-IGBTチップの平面観察よりIGBT領域とDiode領域の占有率の確認、及び裏面カソード層のレイアウトを確認しています。
- SR(Spreading Resistance )分析より、ベース層に不純物濃度の異なるポイントを確認しています。