半導体

Si MOSFET(150V)：iDEAL Semiconductor SuperQMOSFET IS15M7R1S1C-7SR 構造解析レポート


パッケージ外観	Si MOSFETチップ

レポート概要

　iDEAL Semiconductorは、米国ペンシルベニア州リーハイバレーに本拠を置くファブレス半導体メーカーで、SuperQパワーMOSFETと呼ばれる製品群の量産を開始しました。
　このSuperQパワーMOSFET技術は、SJ-MOSのようなリサーフ構造に由来するものであり、独自のトレンチ分離技術とドーピング濃度によってRonAAやブロッキング電圧などの主要な性能分野でワイドバンドギャップ半導体に匹敵しています。
　今回は、本製品の平面解析、断面解析から構造の特徴を明らかにする構造解析レポートを
リリースしました。

製品特徴

型番： iS15M7R1S1C 　VDS=150V、ID=133A、RDS(ON)=5.4mΩ　製品リリース日：2025年6月

データシート：https://idealsemi.com/wp-content/datasheets/iS15M7R1S1C-Datasheet.pdf

アプリケーション：産業オートメーション、AI データセンター、高電圧 DC 電力変換など

解析内容&レポート価格

構造解析レポート：　価格¥650,000 (税別)　　発注後1weekで納品

本製品のトランジスタセルは、トレンチ型ゲート構造で、トレンチの側壁にALD (AtomicLayer Deposition)層が形成されたSi SJ MOSFETです。
性能面では、本製品と同程度定格のInfineon 150V Si MOSFET(OptiMOS 5) と比較すると、本製品のRonxAAはOptiMOS 5の2/3程度になります。
ALD層の確認には、別途SCM分析が必要となります。
詳細の内容については別途ご相談ください。
また、本製品の製造プロセスシーケンスや電気特性解析レポートも作成可能です。
ご興味がございましたら、エルテックまでお問い合わせください。