SiC MOSFET(1200V)：中国INVENTCHIP Technology 構造解析レポート


パッケージ写真	内部レイアウト写真	チップ写真

型番： IV1Q12080T3 1200V SiC MOSFET (VDSS=1200V、RDS(ON)80mΩ、ID=42A)

製品概要

SiCパワーデバイスは、EV市場の拡大もあり、今後毎年２桁成長を達成すると予測されている。中でも中国の成長には今後注目する必要がある。

中国では、 BASiC SemiconductorやINVENTCHIP TechnologyはすでにSiC MOSFETを製造し発売している。

また、BYD MicroelectronicsはSiC MOSFETの開発に成功している。

本レポートは、 INVENTCHIP TechnologyのSiC MOSFETについて、断面、平面構造、特徴などその詳細を明らかにする。

・本製品は民生用/産業用アプリケーション（モータードライブ、ソーラーインバーター、スイッチング電源）向けにリリース。

・トランジスタのゲート構造はプレーナ型

・パッケージタイプ：TO-247-3(L)

　1.構造解析レポート　　レポート価格：40万円（税別）　発注後1weekで納品

・パッケージ外観、X線観察、チップ観察

・SiC MOSFETのチップ断面:セル部、終端部

・SiC MOSFETのチップ平面:配線接続、レイアウト確認

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