SiC MOSFET(1200V)：中国製 3社概要レポート (BASIC Semiconductor, INVENTCHIP Technology, SASTC)

製品概要

SiCパワーデバイスは、EV市場の拡大もあり、今後毎年２桁成長を達成すると予測されている。中でも中国の成長には今後注目する必要がある。

中国では、 BASiC SemiconductorやINVENTCHIP TechnologyはすでにSiC MOSFETを製造し発売している。

また、BYD MicroelectronicsはSiC MOSFETの開発に成功している。

本レポートは、中国メーカー3社のSiC MOSFETの概要を提供し、先端SiCメーカーと比較することで、その実力を明らかにする。

レポート内容、価格

・パッケージ外観、X線観察

・SiC MOSFET チップ観察

・SiC MOSFET 断面解析：セル構造、平面解析：活性領域AA

・電気特性評価(ゲートリーク電流、Ids-Vds温特) 

・他社との比較(ローム、WLFSPD、Infineonなど先端SiCメーカーとの比較)

（本レポートに記載される断面解析はセル部のみ、平面解析は活性領域のデータのみになります。各製品の断面、平面の詳細解析については、個別のレポートを作成しておりますので、お問い合わせください)

　　レポート価格：60万円（税別）　　発注後1weekで納品

レポートパンフレット

SiC MOSFET(1200V)：中国製 3社概要レポート

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