Si-IGBT（750V）パワーモジュール：中国中車（CRRC）製 (TG820FF08S3-S4A01) 構造、プロセス解析レポート

パワーモジュール　(TG820FF08S3-S4A01)

レポート概要  　

　本製品はCRRC社製の車載用750V 820A Si-IGBTモジュールです。

　本レポートでは、 CRRC製のSi-IGBT（チップパターンから同社5th TMOSと推測）について構造解析とプロセス解析を、さらにSi-FWDについても解析を行っています。

　※CRRC：中国の中央企業（国有企業）であり、世界最大の鉄道車両メーカー

製品使用・特徴 

レポート価格・結果概要

①Si-IGBT（750V）パワーモジュール：構造解析レポート

　　価格：￥700,000（税別)  発注後1weekで納品

　　　・セル部にCRRC製の特徴であるRET（Recessed Emitter Trench）構造が使用されている。

　　　・Si基板内のSR分析を実施し、ウェハのキャリア濃度と濃度ピークを確認している。

②Si-IGBT（750V）パワーモジュール：プロセス解析レポート

　　価格：￥600,000（税別)　発注後1weekで納品

　　　・RET形成プロセスなど重要なプロセス工程の推定とマスク工程数を見積っている。

③Si-FWD：構造解析レポート

　　価格：￥500,000（税別)   発注後1weekで納品

　　　・Si基板内のSR分析を実施し、ウェハのキャリア濃度と濃度ピークを確認している。

レポートパンフレット

Si-IGBT（750V）パワーモジュール：中国中車（CRRC）製 (TG820FF08S3-S4A01) 構造、プロセス解析レポート

・その他当社リリースレポートは こちら