販売レポート

Si-IGBT(1200V):富士電機製 FGW75XS120C 構造解析レポート

パッケージ外観

内部レイアウト

チップ写真

レポート概要

 富士電機はディスクリートIGBT(XSシリーズ)に、新たに低損失を実現した定格電圧1200V品を追加し、2021年3月から販売を始めました。

 本レポートではこの製品に搭載されているIGBTのチップ構造、特徴を明らかにしています。

製品仕様・特徴

    型番:DGW75XS120C 1200V Si –IGBT    製品リリース日: 2021年3月

 ・第7世代IGBT素子を搭載

 ・チップ構造の最適化とSi基板の薄型化により、従来製品と比較して定常損失を約20%、スイッチング損失を約6%削減し、業界トップレベルの低損失を実現

 ・アプリケーション: 無停電電源装置(UPS)、パワーコンディショナー(PCS)、EV(電気自動車)用充電器

解析内容・結果概要

 ・トランジスタセルはストライプ型のトレンチゲート構造。

 ・トレンチはGate接続とEmitter接続があり、Gate(x2)-Emitterの3つの繰り返しパターンになっている。

 ・ダイアタッチにはSn,Au,Ni系のはんだを使用している。

 ・SR分析の結果、N-Base層に3つのピークがある事が確認される。

レポート価格

  価格:  ¥760,000 (税抜)   発注後1weekで納品

レポートパンフレット

Si-IGBT(1200V):富士電機製 FGW75XS120C 構造解析レポート


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