Si-IGBT(1200V)：富士電機製 FGW75XS120C 構造解析レポート


パッケージ外観	内部レイアウト	チップ写真

レポート概要

　富士電機はディスクリートIGBT(XSシリーズ)に、新たに低損失を実現した定格電圧1200V品を追加し、2021年3月から販売を始めました。

　本レポートではこの製品に搭載されているIGBTのチップ構造、特徴を明らかにしています。

型番：DGW75XS120C 1200V Si –IGBT 製品リリース日： 2021年3月

　・第7世代IGBT素子を搭載

　・チップ構造の最適化とSi基板の薄型化により、従来製品と比較して定常損失を約20%、スイッチング損失を約6%削減し、業界トップレベルの低損失を実現

　・アプリケーション：　無停電電源装置（UPS）、パワーコンディショナー（PCS）、EV（電気自動車）用充電器

　・トランジスタセルはストライプ型のトレンチゲート構造。

　・トレンチはGate接続とEmitter接続があり、Gate(x2)-Emitterの3つの繰り返しパターンになっている。

　・ダイアタッチにはSn,Au,Ni系のはんだを使用している。

　・SR分析の結果、N-Base層に3つのピークがある事が確認される。

　　価格：　 ￥760,000 (税抜)　　　発注後1weekで納品

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