Si-IGBT(1200V):富士電機製 FGW75XS120C 構造解析レポート
パッケージ外観 |
内部レイアウト |
チップ写真 |
レポート概要
富士電機はディスクリートIGBT(XSシリーズ)に、新たに低損失を実現した定格電圧1200V品を追加し、2021年3月から販売を始めました。
本レポートではこの製品に搭載されているIGBTのチップ構造、特徴を明らかにしています。
製品仕様・特徴
型番:DGW75XS120C 1200V Si –IGBT 製品リリース日: 2021年3月 |
・第7世代IGBT素子を搭載
・チップ構造の最適化とSi基板の薄型化により、従来製品と比較して定常損失を約20%、スイッチング損失を約6%削減し、業界トップレベルの低損失を実現
・アプリケーション: 無停電電源装置(UPS)、パワーコンディショナー(PCS)、EV(電気自動車)用充電器
解析内容・結果概要
・トランジスタセルはストライプ型のトレンチゲート構造。
・トレンチはGate接続とEmitter接続があり、Gate(x2)-Emitterの3つの繰り返しパターンになっている。
・ダイアタッチにはSn,Au,Ni系のはんだを使用している。
・SR分析の結果、N-Base層に3つのピークがある事が確認される。
レポート価格
価格: ¥760,000 (税抜) 発注後1weekで納品
レポートパンフレット
Si-IGBT(1200V):富士電機製 FGW75XS120C 構造解析レポート
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