半導体

SiC MOSFET (1200V) ：Diodes製 (DMWS120H100SM4) 構造解析レポート


パッケージ外観	チップ写真	トランジスタセル　断面

レポート概要

・効率の向上や電力密度の向上を目的として、産業用モータドライブ、ソーラーインバータ、データセンターおよびテレコムの電源、DC-DCコンバータ、EVバッテリチャージャなどにＳｉＣＭＯＳＦＥＴを採用する製品が増えています。

・Diodes社は上記アプリケーション向けの製品として、 NチャネルSiC MOSFET「DMWS120H100SM4 」を発売しました。

・本レポートでは、パッケージ断面構造、チップ平面、断面構造解析を行い、Diodes社SiC MOSFETの詳細を明らかにしています。

型番： DMWS120H100SM4 1200V SiC MOSFET Id = 37A, Ron = 80mΩ 製品リリース日：2023年4月

・スイッチング損失の低減 (ゲート電荷：52nC)

・TO247-4 パッケージ

・トランジスタセルは、ストライプ状のプレーナ型Gate構造

・パッケージ観察、チップ観察、パッケージ断面解析

・SiC MOSFETの平面解析：配線接続、レイアウト確認

・SiC MOSFETの断面解析：セル部、チップ終端部

価格：￥500,000（税別）　

発注後1weekで納品

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