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IGBT(650V)：日産Note e-Powerインバーター搭載三菱電機製 IGBTチップ構造解析レポート

概要

・前世代にはInfineon社製のIGBTモジュール（EDT2：片面冷却）が搭載されていたが、

　第２世代のユニットでは、三菱電機製モジュール（片面冷却）を採用。

※駆動基板はモジュールとセットで2ユニット搭載

・搭載パワーモジュール＋制御基板の容量、重量はInfineonと比較して約半分

　出力はほぼ同等となっており、パワーモジュールの小型化がユニットの小型化に大きく寄与している。

・日産Note_e-Power(HEV) 2020年12月発売

・三菱電機製：CT700CJ1A080-N 　650V

・出力：116ps、最大トルク：280Nm（三菱電機製パワーモジュール（2基）搭載）

・CSTBT構造を採用下IGBTチップ搭載(三菱電機製第7世代IGBT)

※CSTBT: Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor

　1.構造解析レポート　　レポート価格：44万円（税別）　

・モジュール外観、内部観察

・IGBTのチップ断面:セル部、終端部

・IGBTのチップ平面:配線接続、レイアウト確認

IGBT(650V)：日産Note e-Powerインバーター搭載三菱電機製 IGBTチップ構造解析レポート

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