半導体
SiC MOSFET(1200V)： Hestia Power(上海瀚薪) H2M120F080 構造解析レポート
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パッケージ外観 |
SiC MOSFETチップ (Top Metal ) |
レポート概要
SiC市場は、自動車の電動化を背景に急速に成長しており、中でも中国は現在最も成長著しいEV 市場を抱え力を入れています。
Hestia Power (上海瀚薪、Shanghai Hanxin Technology)もその一つで、2019年に上海で設立され、EV用途向けに、車載グレードのSiCを用いたショットキーバリアダイオード、MOSFET、及びそれらを組み合わせたパワーモジュールを量産し、世界のメーカーに出荷できる中国で数少ない企業とアピールしています。
このHestia PowerからリリースされているSiC MOSFETについて構造解析レポートをリリースします。
製品仕様・特徴
| 型番：H2M120F080 第2世代1200V SiC MOSFET 33A, 80mΩ 製品リリース日：2022～2023年(推定) |
・AEC-Q101
・アプリケーション：
スイッチングモード電源、 DC/DCコンバータ、 EV充電ステーション、モータードライブ、インバータ等
レポート内容・結果概要 (目次はP.2を参照)
構造解析レポート 価格：￥500,000 (税抜) 発注後1weekで納品
・Gate電極の抵抗を下げるため、ポリサイドが形成されています。
・トランジスタセルはソース抵抗が内蔵された斬新な複合構造です。
このレイアウト設計は短絡耐量の強化のためであると推定されます。
・チップ裏面のアニール痕の解析も行なっています。
レポートパンフレット
SiC MOSFET(1200V)： Hestia Power(上海瀚薪) H2M120F080 構造解析レポート
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