半導体

IGBTパワーモジュール(1200V)：Infineon HybridPACK DriveG2 FS520R12A8P1LB 搭載Si IGBT、FWD解析レポート


モジュール外観	モジュール内部	IGBT外観

概要

　InfineonのHybridPACK Drive G2 型名：FS520R12A8P1LB (1200 V/520 A) は、6パック構成のパワーモジュールで、ハイブリッド車や電気自動車のトラクションモーター用インバータ向けに最適化されたモジュールです (2024年発売)
　今回、同モジュールに搭載のIGBTおよびFWDについて、その詳細、特徴を明らかにしたレポートをリリースしました。

製品特徴

型番： FS520R12A8P1LB 　VCES=1200V, IC=520A 製品リリース日：2024年6月

データシート　https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FS520R12A8P1LB-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190b55f06126ef2

Infineon 1200V IGBT搭載（750V品とはセル構造が異なります）
IGBTチップにオンチップ温度センサを内蔵

解析内容

① 搭載Si IGBT構造解析レポート：価格￥750,000 （税別)　　発注後1weekで納品

チップ上に温度センスダイオードが形成されており、極性の推定を実施しております。
本製品にはIGBT7より以前のプロセス技術が使用されていると推定しております。
裏面SR分析によりP+Collector層とN Field Stop層、N-Base層のキャリア濃度プロファイルを取得しチップの裏面側にピークがある事を確認しました。

② 搭載Si FWD構造解析レポート　価格￥500,000 （税別)　　発注後1weekで納品