Si SJ MOSFET (600V)： Infineon CoolMOS C8世代 IPW60R037CM8 構造解析レポート

パッケージ	Si MOSFET (チップ)

レポート概要

　600～650V のパワーMOSFETは、幅広い産業用アプリケーションをカバーするデバイスとして
注目されており、各社Si、化合物など、多種多様のラインナップが存在します。
　Infineonは、 SiC MOSFETやGaN FETとコスト競争力の高いSiのSuperJunction MOSFET構造を採用した、CoolMOSを販売しており、2013年にC7世代、2024年にはC8世代が発売されています。
今回、このC8世代の構造解析を行い、その特徴を明らかにする解析レポートをリリースしました。

製品特徴

データシート:  Infineon CoolMOS C8世代 IPW60R037CM8

• C8世代の単位面積当たりのオン抵抗は、C７世代の約49%

• アプリケーション：サーバー、EV充電、太陽光発電、無停電電源装置(UPS)、住居用エアコンPFC他

解析内容、レポート価格

１）構造解析レポート 　価格　¥600,000 (税別)

• 本製品の単位面積当たりのオン抵抗（RoｎxA）は499mΩ・mm2を達成しており、競合他社（TOSHIBA,　STMicro）と比較しても半分以下になります。
• 解析結果より特徴的な平面レイアウト、セルピッチの縮小、Si基板の薄膜化を確認しています。

オプション①　比較レポート(企画中) ： 　予定価格 ¥300,000 (税別)

• C7世代 IPW60R040C7との比較
• データシート及び構造解析結果から650V SiC MOSFET、GaNとスペックを比較 (P.4参照)

オプション②　SCM分析(企画中) ：　　予定価格 ¥500,000 (税別)

• SuperJunction構造のSCM分析 (分析箇所は別途ご相談の上決定）

レポートパンフレット

24G-1154-1 Br-L2 Si SJ MOSFET (600V)： Infineon CoolMOS C8世代 IPW60R037CM8 構造解析レポート (Release)

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