半導体

SiC MOSFET(1200V)：Infineon製 CoolSiC M1H 構造解析レポート

パッケージ写真

チップ写真

概要

　 2022年4月、 Infineonから同社のCoolSiCシリーズにM1Hと呼ばれる1200V SiC MOSFETが発表された。同製品は最新の CoolSiC™技術の進歩により、ゲート動作ウィンドウが大幅に拡大し、オン抵抗が改善される。

製品特徴

型番：　IMZA120R014M1H (刻印015)　Vds=1200V Id=127A、Ron=14mΩ
　・MOSFETの改良　オン抵抗がM1に比べて約12％低減。
　・パッケージングの改良
　　「.XT接合」と呼ぶはんだ付け技術の適用で、はんだ接合部を薄くし、
　　熱伝導率を15％上げ、接続部熱抵抗を25％削減。
製品リリース日： 2022年4月

本レポートでは、 InfineonのM1HテクノロジーのSiC MOSFETについて、SiC MOSFETの断面、平面構造などの詳細や「.XT接合」の材料、膜厚を明らかにしています。