販売レポート

半導体

GaN HEMT(650V):STMicroelectronics製 VIPERGAN50構造解析レポート

パッケージ写真

チップ写真(GaN HEMT)

チップ写真(制御IC)

型番: VIPERGAN50   650V E-mode power GaN transistor搭載
製品リリース日: 2022年4月

製品概要

 2022年4月、STマイクロエレクトロニクスから高電圧GaN(窒化ガリウム)コンバータ「VIPERGAN50」を発表されました。

 この製品は、最大50Wのシングル・スイッチ・フライバック・コンバータの構築を簡素化するように設計されており、高効率化・小型化のために650V耐圧GaNパワー・トランジスタを内蔵しています。

 アプリケーションは、電源アダプタやUSB Power Delivery対応充電器、生活家電、エアコン、LED照明、およびスマート・メータ用の電源など、コンスーマ機器や産業機器の製品です。

レポート内容

本報告書は、平面及び断面解析の結果に基づく構造解析レポートになります。 

本報告書では、

    (i) 平面解析によるGaNチップの配線レイアウト及び接続状況、制御ICの機能推定

   (ii) 断面解析によるGaNチップの構造、制御ICの構造

 (iii) GaN-Epi層の膜厚と組成分析

 (iv) 他社製品(GaN Systems、Navitas)との比較等が含まれています。

レポート価格

STMicro VIPERGAN50 650V GaN HEMT + 制御IC 構造解析レポート   90万円(税別)

 ※目次が全て含まれた解析レポート

STMicro VIPERGAN50 650V GaN HEMT 構造解析レポート   70万円(税別)  

 目次の内、「9. 制御IC解析」を除いた解析レポート

レポートパンフレット

GaN HEMT(650V):STMicroelectronics製 VIPERGAN50構造解析レポート

 


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