半導体
SiC MOSFET(1200V)：Navitas(GeneSiC) G3F34MT12K 概要、構造、プロセス電気特性解析レポート
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| TO-247-4 パッケージ | SiC MOSFETチップ |
概要
2024年6月、Navitas (GeneSiC：2022年にNavitasが買収)は、新しい第3世代「高速G3F」MOSFET
650Vおよび1200Vファミリーを発表しました。G3Fの特徴として、構造面では独自の「トレンチアシスト
プレーナ」技術を採用、性能面では、優れた堅牢性(30%長い短絡耐量を実現)や最大600kHzの
スイッチング速度が挙げられます。今回、この新しい第3世代1200V SiC MOSFETについて、
過去に当社で解析したG3R品との比較を含め、デバイス構造の特徴を明らかにした概要、構造、
プロセス・電気特性解析レポートをリリースしました(※1)。
製品特徴
| 型番：G3F34MT12K Vdss=1200V、63A、34mΩ 製品リリース日： 2024年8月 |
Datasheet: https://navitassemi.com/wp-content/plugins/gb-navitas-stock-checker/product_files/G3F34MT12K.pdf
- 自動車AEC-Q101認定
- アプリケーション： AIデータセンターの電源, xEV OBC&DC-DC, エネルギー貯蔵システムなど
解析結果 (各レポートの解析内容はP.2,4,6を参照)
①概要解析レポート： 価格 ￥300,000 (税別) 発注後1weekで納品
➁構造解析レポート： 価格 ￥850,000 (税別) 発注後1weekで納品
③プロセス・電気特性解析レポート： 価格 ￥750,000 (税別) 発注後1weekで納品
- 本製品とNavitas製1200V SiC G3Rを比較した結果、本製品はG3Rより約15%低いRonxAAを達成しています。
短絡耐量評価レポート(企画中) ： 価格はエルテックまでお問い合わせ下さい。
- 短絡耐量試験測定結果。
- G3Rとの比較を行ない、30%長い短絡耐量について明らかにする。
レポートパンフレット
24G-0694-1,2,3 Br-L2_SiC MOSFET(1200V)：Navitas(GeneSiC) G3F34MT12K 概要、構造、プロセス電気特性解析レポート (Release)
・その他当社リリースレポートは こちら
