半導体

SiC MOSFET(1200V)：NEXPERIA NSF080120L3A0 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート


パッケージ外観	SiC MOSFET

レポート概要

　2023年11月、三菱電機とNexperiaはSiCパワー半導体を共同で開発すると発表を行い、Nexperiaから初のSiC MOSFETがリリースされました。

このNexperiaからリリースされたSiC MOSFETについて、以下の3つのレポートをリリースし、本製品の構造、電気特性、プロセス、短絡耐量の特徴を明らかにしています。

① パッケージ断面、トランジスタ構造の解析を行う構造解析レポート

② 製造工程の推定、電気的特性評価、さらに三菱電機製SiC MOSFETとの比較を行うプロセス解析レポート

③ 短絡耐量評価・解析レポート

型番：NSF080120L3A0 1200V SiC MOSFET, Id=35A, RDSON=80 mΩ, 製品リリース日：2023年12月

アプリケーション:電気自動車の充電インフラ、太陽光発電インバータ、スイッチモード電源、モータードライブ

① 構造解析レポート　　　　価格￥650,000 （税別)　　発注後1weekで納品

　・最先端の薄型SiCチップ(~100um)。

・セルピッチを狭めたプレーナゲート構造。

・斬新なN+内蔵周辺JTE（Junction Termination Extension）構造。

② プロセス解析レポート　　価格￥700,000 （税別)　　発注後1weekで納品

　・他社の1200V SiC MOSFETとの比較により、第3世代SiCレベルのRONxAが判明。

　・トランジスタは Idss-vs-Vds が滑らかで、結晶欠陥によって引き起こされる「こぶ」や早期アバランシェ

　　電流 (1200V 未満) を示さない。

　・過去当社解析の三菱電機製品との特性、構造比較により同社供給のデバイスと推定される。

③ 短絡耐量評価・解析レポート 　価格￥600,000 （税別)　　発注後1weekで納品

　・SCWT(Short-Circuit Withstand Time)は、大手SiCメーカーの第3世代1200V定格SiC MOSFETと同等。

　・SiC MOSFETの最も低い短絡ピーク電流密度：JFET設計に関連。　

　・臨界短絡エネルギー(Esc,f)と故障温度(Tj,crit)を抽出。

　・安全にターンオフするための最大短絡時間を抽出。

・その他当社リリースレポートはこちら

一覧へ戻る