半導体

GaN FET (650V) : Infineon CoolGaN Bidirectional IGLT65R055B2 構造解析レポート


パッケージ写真（表）	GaN FET 写真

レポート概要

　GaNデバイスは、EV市場における電力効率の飛躍的向上、小型化、高電力密度化を実現するキーテクノロジーとして注目を集めています。中でも650V耐圧GaNは、中電圧パワーエレクトロニクスの中核を担うデバイスとして、今後さらなる需要拡大が見込まれており、次世代電源アーキテクチャの要素技術として注目されているのが双方向GaNデバイスです。
　2025年にはNavitasが世界初となる650V双方向GaNの量産化、続いてInfineonも参入、同社の双方向GaNは、「世界初のモノシリック構造による双方向スイッチ」として、4つのディスクリートMOSFETを必要としていた双方向の電圧・電流制御を、単一デバイスで実現することで、回路構成の大幅な簡素化、小型化、さらにはコスト削減を可能にします。
　本レポートでは、このInfineon製双方向GaNデバイスの構造、搭載回路について解析しています。

製品特徴

型番： IGLT65R055B2 VSS= 650V, RDS (on)=55mΩ 製品リリース日：2025年5月

データシート： CoolGaN BDS 650V G5 IGLT65R055B2

850Vサージ耐性を備えた650V CoolGaN™テクノロジー
同社のゲート注入トランジスタ（GIT）技術を採用
基板端子を持ち、絶縁された独立制御が可能な2つの分離ゲート構造
アプリケーション：太陽光発電用マイクロインバータ(Enphase社の製品に採用) 、車載充電器（OBC）、トラクションインバーター、AIサーバー

解析内容＆レポート価格

GaN FET構造解析レポート：　価格￥900,000（税別)　発注後1weekで納品
- ゲート電極パッドの下部にはESD保護が形成されています。
- Si基板(Sub端子)は、基板電位制御回路によって、S1端子かS2端子の低電位側に接続されます。
- Si基板とサーマルパッドはダイアタッチ、裏面電極を介して電気的に接続されます。