SiCパワーモジュール(3300V)：Microchip Technology MSCSM330AM15D3NG 解析レポート

MSCSM330AM15D3NGモジュール (画像はデータシートより)

レポート概要

　AIハイパースケールデータセンター※の急拡大に伴い、中電圧（13.8kV/34.5kV）送電網から直接サーバーラックへ給電を行う「ソリッドステートトランス（SST）」の需要が急増しています。
※AI向けGPU/アクセラレータを大量に搭載し、数百～数千ラック規模で運用する超大規模データセンターSSTなどを利用してより高い電圧でラック近くまで電力を持っていき、変換段数・損失・配電電流を減らす方向に動いています。

そのコアデバイスとして期待されるのが、 2026年5月にMicrochip社発売した3.3kV高耐圧モジュールです。
本製品は、業界標準の62mmフットプリントでありながら、13.5mΩという低いオン抵抗とパッケージの絶縁耐圧6kVの堅牢な絶縁性能を両立させています。
　今回、最新のmSiC®チップテクノロジーおよび「HV-D3パッケージ」の内部構造・材料組成を解析し、Microchip社の技術的を明らかにすることを目的としてレポートを企画しました。

製品特徴

データシート：MSCSM330AM15D3NG

• mSiC® 3300V SiC MOSFET チッ搭載
• Microchip HV-D3パッケージ　銅ベースプレート、Si₃N₄基板採用
• アプリケーション: スイッチング電源 •、鉄道用コンバータ •、鉄道車両用駆動システムソリッドステートトランス

解析内容＆レポート価格

• ① モジュール構造解析レポート： 予定価格￥600,000（税別) 　　納期： 企画成立後 2.5ヶ月
  • モジュール観察、搭載チップ観察、モジュール断面解析/材料分析
  • Infineon 3300V SiCパワーモジュール FF4000UXTR33T2M1との比較

• ② 搭載SiC MOSFET概要解析レポート： 予定価格￥300,000（税別) 　納期： 企画成立後 2.5ヶ月
  • パッケージ観察、チップ観察、断面解析： セル部 (SEM)

• ③ 搭載SiC MOSFET構造解析レポート： 予定価格￥500,000（税別) 　納期： 企画成立後 2.5ヶ月
  • ②概要解析レポート＋平面解析： 配線接続、レイアウト確認、断面解析： 外周部 (SEM)

• ④ 電気特性評価レポート： 予定価格￥450,000（税別) 　納期： 企画成立後 2.5ヶ月
  • IV特性(ON)、リーク電流(OFF)、BVdss、容量

レポートパンフレット

(26L-0452-1,2,3)SiCパワーモジュール(3300V)：Microchip Technology MSCSM330AM15D3NG 解析レポート

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