販売レポート

半導体

SiCパワーモジュール(2300V):Wolfspeed CAB6R0A23GM4T モジュール、SiC MOSFET概要、構造解析レポート

モジュール俯瞰像 正面 モジュール内部レイアウト SiC MOSFETチップ レポート概要  現在、再生可能エネルギー業界において太陽光発電やエネルギー貯蔵などの市場は急速に成長しており、15……

半導体

Si IGBT(1200V):ローム Gen4 RGA80TRX2EHRC15 構造解析レポート

パッケージ外観/内部レイアウト Si IGBTチップ外観 Si FWDチップ外観 レポート概要  2024年11月、ロームは車載向けの1200V 第4世代IGBT (車載認定AEC-Q……

半導体

SiC MOSFETs(1200V):調査・ベンチマークレポート (2025年版)

背景  近年、SiC搭載、採用のアプリは増加しており、SiCに関する発表や活動が活発に行われています。  主な状況としては下記。 大手SiCデバイスメーカーは第4世代技術に参入。   単位面積当たりのオン抵抗RONxAは、20……

半導体

SiC MOSFETs(1200V):中国製SiC MOSFET 調査・ベンチマークレポート (2025年版)

背景  中国でのSiCウェハ生産歩留まりの向上により、世界の大手SiC MOSFETメーカーも中国企業のウェハの採用を始め、ウェハの品質、歩留まりの向上、コストの低下などが報告されています。   ウェハだけでなく、SiCパワーデバイスの……

半導体

SiC MOSFET(400V):Infineon IMBG40R045M2H 概要、構造、プロセスと電気特性解析レポート

パッケージ SiC MOSFETチップ 背景・概要  人工知能(AI)プロセッサの計算要件が増加するにつれて、サーバー電源(PSU)は、大電力を効率よく供給する必要があり……

半導体

SiC MOSFET(1200V):Navitas(GeneSiC) G3F34MT12K 概要解析レポート

TO-247-4 パッケージ SiC MOSFETチップ 概要  2024年6月、Navitas (GeneSiC:2022年にNavitasが買収)は、新しい第3世代「高速G3F」MOSFET……

半導体

SiC MOSFET(1200V): Inventchip Gen3 IV3Q12013T4Z 概要、構造、プロセスと電気特性解析レポート

  パッケージ外観 Inventchip 第3世代SiCチップ 概要  中国の大手SiCメーカーであるInventchip社は、2019年に第1世代、 2023年に第2世代、2024年6月 に第……

半導体

DCDCコンバータ:Vicor DCM5614VD0H36K3T02 (1.3kW) 基板回路解析レポート

DCM9223 DCM5614VD0H36K3T02 外観 高電圧側基板 通信トランス基板 低電圧側基板 概要 メーカ型番 : DCM56……

半導体

SiC MOSFET(1200V): 三安半導体 SMS1200075M2 概要、構造解析レポート

パッケージ外観 チップ全体写真 概要  中国の化合物半導体メーカーである三安光電は、2023年6月に半導体大手のSTMicroelectronicsと SiCの量産に向けた合弁工場(2025年……

半導体

温度補償型MEMS発振器:SiTime SiT5501 回路解析レポート

Chip Overview (発振IC Top) Block Diagram (出典) Datasheet P.1 Figure 1. SiT5501 Block Diagram https://www.s……

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