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販売レポート
パッケージ SiC MOSFETチップ 概要 中国のSiC市場は、自動車の電動化を背景に急速に成長しており、中国のSiCメーカーの動向には注目していく必要があります。 CR MICRO……
パッケージ写真 Si MOSFETチップ写真 概要 2025年3月、東芝DSからSuperJunction構造のDTMOSVI 600V Si MOSFETの中で最小のオン抵抗(=24mΩ(m……
パッケージ外観 SiC MOSFETチップ 概要 中国BYD社は世界最大のxEVメーカーであり、BYD Semiconductorもパワー半導体（IGBT、パワーモジュール）の研究開発・製造に……
TO-247-4 パッケージ SiC MOSFETチップ 概要 2024年6月、Navitas (GeneSiC：2022年にNavitasが買収)は、新しい第3世代「高速G3F」MOSFET……
モジュール外観 チップ全体像 (Top metal layer) 概要 鉄道などのトラクションシステムの高効率化、太陽光、風力発電、蓄電システムの需要拡大によりInfineonから高電圧、大電力用途……
パッケージ外観 SiC SBDチップ 概要 パワーデバイスのTOPメーカーであるInfineon社は、今後需要が高まると予想される高電圧電源を使用するアプリケーションをターゲットとして、Coo……
モジュール俯瞰像 正面 モジュール内部レイアウト SiC MOSFETチップ レポート概要 現在、再生可能エネルギー業界において太陽光発電やエネルギー貯蔵などの市場は急速に成長しており、15……
パッケージ外観/内部レイアウト Si IGBTチップ外観 Si FWDチップ外観 レポート概要 2024年11月、ロームは車載向けの1200V 第4世代IGBT （車載認定AEC-Q……
背景 近年、SiC搭載、採用のアプリは増加しており、SiCに関する発表や活動が活発に行われています。 主な状況としては下記。 大手SiCデバイスメーカーは第4世代技術に参入。 単位面積当たりのオン抵抗RONxAは、20……
背景 中国でのSiCウェハ生産歩留まりの向上により、世界の大手SiC MOSFETメーカーも中国企業のウェハの採用を始め、ウェハの品質、歩留まりの向上、コストの低下などが報告されています。 ウェハだけでなく、SiCパワーデバイスの……
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