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販売レポート
パッケージ Si MOSFET (チップ) レポート概要 600～650V のパワーMOSFETは、幅広い産業用アプリケーションをカバーするデバイスとして 注目されており、各社Si、化合物な……
□ リファレンスブロック Package外観 チップ写真 レポート概要 本ICはTexas Instruments社の第7世代のバッテリマネジメントICで、この世代よりセル電圧センシング……
チップ写真 レポート概要 INFINEONは2024年3月にCoolSiC 1200V第2世代MOSFETを発表しました[1]。 これは高評価を受けており、xEVモーターインバータモジュールに……
パッケージ外観 X線像 レポート概要 データセンターでは、高性能コンピューティングや人工知能（AI）の導入が進む中、高密度かつ効率的な電源ソリューションが求められています。 2025年4月……
チップ写真 レポート概要 2024年6月、NAVITAS-GeneSiCは前世代G3Rプロセスおよびデバイス技術の改良版として、G3F(Fast)技術を発表しました[1]。G3Fは、(i)スイッ……
パッケージ外観 (WLCSP) レポート概要 近年、GaNパワーデバイスが注目されており、2025年のPCIM（世界最大級のパワー半導体の展示会）では双方向GaNデバイスの提案が多数見られます。……
G3F17MT12FB2パッケージ（SiCPAK） 等価回路 引用：データシートより (URLは下記参照) レポート概要 NAVITASは、モールド樹脂を使用することで熱サイクル耐性……
GaNsafe GaNslim GaNsense Halfbridge GaNsense Halfbridge Motordrive パッケージ外観 レポート概要 N……
パッケージ SiC MOSFETチップ レポート概要 2019年に設立されたSiCパワーデバイス事業のファブレス設計会社であるfastSiC (台湾 新竹市)は、台湾の大手EMS(電子機器受託……
Package外観 チップ構成 レポート概要 本製品は1200V級SiC/IGBT駆動向けの磁気絶縁型シングルチャネルゲートドライバであり、メーカーは中国の自動車メーカーBYD傘下のBYD S……
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