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販売レポート
パッケージ GaN FETチップ レポート概要 2025年、Navitasは世界で初めて650V耐圧の双方向GaNの量産化を発表しました。従来、双方向の電圧・電流制御には複数のディスクリートM……
製品外観 製品外観 (カバー取り外し後) 背 景 AIやクラウドサービスでは、膨大なデータを一度に処理するために多数のサーバが高速で通信する必要があります。 そこで、51.2Tbps級……
パッケージ GaNチップ レポート背景と概要 電源の高効率化・小型化を背景に、GaN(窒化ガリウム)パワーデバイス市場は急速に拡大しています。その中で中国メーカーの存在感も高まっており、Inn……
M5 Pro PKG Top view After removing the heatsink レポート概要 TSMC が新たに量産導入を進めている SoIC‑mH(Molding‑Horizont……
パッケージ SiC MOSFET die レポート概要 Shenzhen AST Technologyは、 中国深圳市に拠点を置く、SiCチップの設計からモジュールパッケージングまでの一貫し……
レポート背景と概要 ロームは2024年6月、電気自動車のパワートレインシステム向け2-in-1(ハーフブリッジ)SiCモールド型薄型モジュール「TRCDRIVE pack™」シリーズの開発を……
パッケージ (TM40S12B1C-304B) SiC MOSFETチップ (TM40S12B1C-304B) レポート概要 CRRC Times Semiconductor (株洲中車時……
パッケージ外観 SiC MOSFET Die レポート概要 Nomis Power社は、米国アルバニー大学発のスタートアップとして2020年に設立され、高耐圧SiCデバイスの開発を推進していま……
TO-247PLUS-4 IMYR140R006M2H レポート概要 2025年10月、InfineonはTO-247PLUSパッケージの1400V CoolSiCを発表しました[1]。 本……
HUAWEI Pura X搭載基板 3D NAND パッケージ レポート背景と概要 YMTC(長江存儲科技)は、中国政府の強力な支援を受ける中国最大の3D NANDフラッシュメー……
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