販売レポート

半導体

SiC MOSFET(3300V):Shenzhen AST Technology ASC80N3300MT4 概要、構造解析レポート

パッケージ SiC MOSFET die レポート概要   Shenzhen AST Technologyは、 中国深圳市に拠点を置く、SiCチップの設計からモジュールパッケージングまでの一貫し……

自動車部品
半導体

SiCパワーモジュール(1200V):ローム BST400D12P4A101 構造解析レポート

レポート背景と概要  ロームは2024年6月、電気自動車のパワートレインシステム向け2-in-1(ハーフブリッジ)SiCモールド型薄型モジュール「TRCDRIVE pack™」シリーズの開発を……

半導体

SiC MOSFET (1200V):CRRC Times Semiconductor 概要、構造解析、短絡耐量評価レポート

パッケージ (TM40S12B1C-304B) SiC MOSFETチップ (TM40S12B1C-304B) レポート概要  CRRC Times Semiconductor (株洲中車時……

半導体

SiC MOSFET(3300V):NoMIS Power N3T080MP330K 構造解析レポート

パッケージ外観 SiC MOSFET Die レポート概要  Nomis Power社は、米国アルバニー大学発のスタートアップとして2020年に設立され、高耐圧SiCデバイスの開発を推進していま……

半導体

SiC MOSFET (1400V) Infineon IMYR140R006M2H パッケージ、SiC MOSFET解析レポート

TO-247PLUS-4 IMYR140R006M2H レポート概要 2025年10月、InfineonはTO-247PLUSパッケージの1400V CoolSiCを発表しました[1]。 本……

半導体

3D NAND フラッシュメモリ:YMTC (HUAWEI Pura X搭載)構造解析レポート

HUAWEI Pura X搭載基板 3D NAND パッケージ          レポート背景と概要  YMTC(長江存儲科技)は、中国政府の強力な支援を受ける中国最大の3D NANDフラッシュメー……

半導体

4D NAND フラッシュメモリ:SK hynix (HUAWEI Mate 80 Pro搭載)構造解析レポート

HUAWEI Mate 80 Pro搭載基板 3D NAND パッケージ レポート背景と概要  生成AIとデータセンターの爆発的な拡大により、大容量且つ高速な3D/4D NANDフラッシュメモリの需……

半導体

3D NAND フラッシュメモリ:YMTC (ZHITAI TiPro9000搭載) 構造解析レポート

YMTC TiPro9000搭載基板 レポート背景と概要  YMTC(長江存儲科技)は、中国・武漢市に本社を置く中国最大の国有半導体メーカ(IDM)です。中国政府の強力な支援を背景にNAND型フラッシ……

半導体

AI Computer:Nvidia GB10 Grace Blackwell_NVIDIA DGX Spark搭載パッケージ&基板詳細解析レポート

NVIDIA DGX Spark™製品外観 製品基板                  製品概要 NVIDIA DGX Spark™は、GB10 Grace Blac……

半導体

SiC MOSFET (1200V) Wolfspeed C4MS065120K 概要、構造解析、電気特性、短絡耐量評価レポート

パッケージ SiC MOSFETチップ レポート背景と概要  Wolfspeedは、1200VディスクリートSiC MOSFETの新ファミリー「C4MS」を発表しました。C4MSは、高速ソフトボ……

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