販売レポート

半導体

GaN FET (650V) :Navitas Bidirectional GaNFast NV6428 構造解析レポート

パッケージ GaN FETチップ レポート概要  2025年、Navitasは世界で初めて650V耐圧の双方向GaNの量産化を発表しました。従来、双方向の電圧・電流制御には複数のディスクリートM……

半導体

NADDOD製N9500-64OC AI Data Center Switchの搭載基板接続情報

製品外観 製品外観 (カバー取り外し後)  背 景   AIやクラウドサービスでは、膨大なデータを一度に処理するために多数のサーバが高速で通信する必要があります。  そこで、51.2Tbps級……

半導体

GaN FET(650V):Innoscience INN650TA030AH 解析レポート

パッケージ GaNチップ レポート背景と概要  電源の高効率化・小型化を背景に、GaN(窒化ガリウム)パワーデバイス市場は急速に拡大しています。その中で中国メーカーの存在感も高まっており、Inn……

半導体

Chiplet:TSMC SoIC-mH (MacBook Pro搭載Apple M5 Pro) 断面及び平面解析レポート

M5 Pro PKG Top view After removing the heatsink レポート概要 TSMC が新たに量産導入を進めている SoIC‑mH(Molding‑Horizont……

半導体

SiC MOSFET(3300V):Shenzhen AST Technology ASC80N3300MT4 概要、構造解析レポート

パッケージ SiC MOSFET die レポート概要   Shenzhen AST Technologyは、 中国深圳市に拠点を置く、SiCチップの設計からモジュールパッケージングまでの一貫し……

自動車部品
半導体

SiCパワーモジュール(1200V):ローム BST400D12P4A101 構造解析レポート

レポート背景と概要  ロームは2024年6月、電気自動車のパワートレインシステム向け2-in-1(ハーフブリッジ)SiCモールド型薄型モジュール「TRCDRIVE pack™」シリーズの開発を……

半導体

SiC MOSFET (1200V):CRRC Times Semiconductor 概要、構造解析、短絡耐量評価レポート

パッケージ (TM40S12B1C-304B) SiC MOSFETチップ (TM40S12B1C-304B) レポート概要  CRRC Times Semiconductor (株洲中車時……

半導体

SiC MOSFET(3300V):NoMIS Power N3T080MP330K 構造解析レポート

パッケージ外観 SiC MOSFET Die レポート概要  Nomis Power社は、米国アルバニー大学発のスタートアップとして2020年に設立され、高耐圧SiCデバイスの開発を推進していま……

半導体

SiC MOSFET (1400V) Infineon IMYR140R006M2H パッケージ、SiC MOSFET解析レポート

TO-247PLUS-4 IMYR140R006M2H レポート概要 2025年10月、InfineonはTO-247PLUSパッケージの1400V CoolSiCを発表しました[1]。 本……

半導体

3D NAND フラッシュメモリ:YMTC (HUAWEI Pura X搭載)構造解析レポート

HUAWEI Pura X搭載基板 3D NAND パッケージ          レポート背景と概要  YMTC(長江存儲科技)は、中国政府の強力な支援を受ける中国最大の3D NANDフラッシュメー……

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