本社 〒664-0845 兵庫県伊丹市東有岡 4-42-8 TEL:072-787-7385 / FAX:072-787-7382
販売レポート
パッケージ外観 X線像 レポート概要 データセンターでは、高性能コンピューティングや人工知能（AI）の導入が進む中、高密度かつ効率的な電源ソリューションが求められています。 2025年4月……
チップ写真 レポート概要 2024年6月、NAVITAS-GeneSiCは前世代G3Rプロセスおよびデバイス技術の改良版として、G3F(Fast)技術を発表しました[1]。G3Fは、(i)スイッ……
パッケージ外観 (WLCSP) レポート概要 近年、GaNパワーデバイスが注目されており、2025年のPCIM（世界最大級のパワー半導体の展示会）では双方向GaNデバイスの提案が多数見られます。……
G3F17MT12FB2パッケージ（SiCPAK） 等価回路 引用：データシートより (URLは下記参照) レポート概要 NAVITASは、モールド樹脂を使用することで熱サイクル耐性……
GaNsafe GaNslim GaNsense Halfbridge GaNsense Halfbridge Motordrive パッケージ外観 レポート概要 N……
パッケージ SiC MOSFETチップ レポート概要 2019年に設立されたSiCパワーデバイス事業のファブレス設計会社であるfastSiC (台湾 新竹市)は、台湾の大手EMS(電子機器受託……
Package外観 チップ構成 レポート概要 本製品は1200V級SiC/IGBT駆動向けの磁気絶縁型シングルチャネルゲートドライバであり、メーカーは中国の自動車メーカーBYD傘下のBYD S……
モジュール外観 モジュール内部 IGBT外観 概要 InfineonのHybridPACK Drive G2 型名：FS520R12A8P1LB (1200 V/520 A) は、6パッ……
パッケージ SiC MOSFETチップ 概要 中国のSiC市場は、自動車の電動化を背景に急速に成長しており、中国のSiCメーカーの動向には注目していく必要があります。 CR MICRO……
パッケージ写真 Si MOSFETチップ写真 概要 2025年3月、東芝DSからSuperJunction構造のDTMOS VI 600V Si MOSFETの中で最小のオン抵抗(=24mΩ(……
販売レポートのご購入・エルテックに関するご質問がございましたら お問い合わせフォームよりお気軽にご連絡ください。
よくある質問はこちら
