半導体

SiC MOSFET(1200V)：Infineon IMBG120R078M2H 概要、構造、プロセス解析レポート


パッケージ外観	SiC MOSFET

レポート概要

・2024年1月に、Infineonは新しい第2世代（Gen 2）CoolSiCプロセス技術、1200V SiC MOSFET（M2H）製品を発表（Webページ）しました。

　エルテックは、この新しい第2世代について、概要、構造、プロセスの3つのレポートをリリースします。

・Infineon CoolSiC に採用されている1200Vトランジスタは、2017年 Gen 1から約6年で特性、構造が進化しており、本レポートにより、高度なSiC MOSFETの開発に対するInfineonのアプローチと戦略が明らかになります。

型番：IMBG120R078M2H VDSS=1200V、ID=29A、RDS(on)=78.1mΩ　製品リリース日：2024年1月（データシート初版)

　EV-Charging、Online UPS/Industrial UPS, Solar power optimizer, String inverter向け

① 概要解析レポート　　価格：￥250,000 （税別)　発注後1weekで納品

　・パッケージ観察、チップ観察、測長

　・ SiC MOSFET断面解析：セル部、エピ構造、厚さ　

② 構造解析レポート　　価格：￥650,000 （税抜）　 発注後1weekで納品

　・パッケージ・実装技術： .XT テクノロジーを使用した超薄型ダイアタッチ。

　・ Gen 1＋ CoolSiC (M1H)製品との構造比較：トランジスタセル縮小。

　・ TEMによるゲート絶縁膜の観察。

　※概要解析レポートの内容も含まれます。

③ プロセス解析レポート　　価格：￥700,000 （税抜）　発注後1weekで納品

　・単位面積当たりのオン抵抗 RONxAA=180mΩ・mm2 を達成、他社第4世代より～ 18%低い。

　・面積当たりの真性オン抵抗が低減。（Gen 1と比較）

　・チャネルキャリア移動度が競合他社のSiCトランジスタよりも3 ～ 4 倍高い。

　・詳細な電気測定と構造的特徴との相関関係。 RONの温度依存特性より、SiC/SiO2界面トラップとの相関を推測。

・ N-エピ (ドリフト) 不純物濃度ロファイル抽出。再設計と高濃度CSL (電流拡散層) が含まれると推測。

・その他当社リリースレポートはこちら

一覧へ戻る