Si-IGBT(1200V)パワーモジュール： StarPower製 GD600HTA120P6HT モジュール、IGBT構造解析レポート


モジュール外観	モジュール内部	搭載IGBTチップ

レポート概要

　電気自動車（BEV）は中国を中心に普及が進んでいますが、インバータに搭載されるパワーモジュールについても中国企業の製品が増えてきており、StarPower 、BYDが市場を牽引、性能は年々向上してきています。

　本レポートでは、StarPower製 D600HTA120P6HTにてモジュール搭載IGBTの解析を行い、同社製品の特徴についてまとめています。

型番：GD600HTA120P6HT　1200V Si–IGBT　※ICN =600A　製品リリース日： 2023年3月

6 in 1 Half-Bridge module、車載用アプリケーション向け

①モジュール構造解析レポート　価格：￥600,000　(税抜)　　発注後1weekで納品

・パワーモジュールの絶縁基板はAMC基板を採用。

・チップとダイパッド間のダイアタッチ材としてSn-Ag-Cu系はんだを使用。

・冷却ピンは楕円型となっており、Pin底部に凹凸を形成。

②IGBT構造解析レポート　価格：￥600,000　(税抜)　　発注後1weekで納品

・トランジスタセルはストライプ型のトレンチゲート構造。

・セル領域内には2種類のトレンチゲートが使用されている。

オプション　搭載FWD構造解析　価格￥500,000 （税別)　　　納期はエルテックまでお問い合わせください。

　・平面解析(配線接続、レイアウト確認) 、断面解析(セル部、チップ終端部)

　・SR分析 (ウェハのキャリア濃度分析)

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