新着情報

2023.03.01

降圧型コンバータ:Texas Instruments (TPS62841) 回路解析レポート

PKG写真 チップ写真(Poly-Si) TPS62841 ブロック図 概要、製品特徴 ・Texas Instrumentsより2019年にリリースされた降圧型DC-DCコ……

2023.03.01

RF switch :iPhone14(ModelA2881)搭載 Avago製 (AVAGO8245) 解析レポート

i-phone 14 概要 ・Broadcom(Avago Technologies)製  AVAGO8245  は高周波信号のスイッチとしてApple製iPhone14 に採用されており、本製品……

2023.03.01

Power Amp Module:OSCAL S60搭載 RADROCK製 GSM PAM 解析レポート

OSCAL_S60(※) ※https://jp.blackview.hk/products/oscal-s60-5-7-inch-ip68-waterproof-4g-rugged-s……

2023.03.01

CMOSイメージセンサ:Apple iPhone14 Pro Main camera 構造、レイアウト解析レポート

光学顕微鏡写真 平面SEM写真 断面SEM写真 ソニー製積層型CMOSイメージセンサ, 型番 : IMX803 製品概要  本製品はiPhone14Proのメイン広角カメ……

2023.03.01

CMOSイメージセンサ:Apple iPhone13 Pro vs iPhone14 Pro Main Camera 比較レポート

光学顕微鏡写真 平面SEM写真 光学顕微鏡写真 平面SEM写真 ソニー製積層型CMOSイメージセンサ, 型番 : IMX703,  IMX803 製品概要 ……

2023.03.01

CMOSイメージセンサ:Apple iPhone13 Pro Main camera 構造、レイアウト解析レポート

光学顕微鏡写真 平面SEM写真 断面SEM写真 ソニー製積層型CMOSイメージセンサ, 型番 : IMX703 製品概要     本製品はiPhone13 Proのメイン……

2023.02.08

SiC MOSFET(1200V):中国製 3社概要レポート (BASIC Semiconductor, INVENTCHIP Technology, SASTC)

メーカー 品番 電流 Max Vds RON 1 BASIC  Semiconductor B1M080120HC 42A 1200V 80mΩ 2 INVENTCHIP Techno……

2023.02.08

SiC MOSFET(1200V):中国INVENTCHIP Technology 構造解析レポート

パッケージ写真 内部レイアウト写真 チップ写真 型番 : IV1Q12080T3   1200V  SiC MOSFET  (VDSS=1200V、RDS(ON)80……

2023.02.08

SiC MOSFET(1200V):中国BASIC Semiconductor 構造解析レポート

パッケージ写真 内部レイアウト写真 チップ写真 型番 : B1M080120HC   1200V  SiC MOSFET  (VDSS=1200V、RDS(ON)80……

2023.02.08

SiC MOSFET(1200V):中国SASTC 構造解析レポート

パッケージ写真 内部レイアウト写真 チップ写真 型番 : SA1M12000065   1200V  SiC MOSFET  (VDSS=1200V、RDS(ON)6……

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