新着情報

2025.07.07

統合ECU(BCM RH):小米 SU7搭載 回路解析レポート

Xiaomi SU7(Web情報より) 引用:https://hu.motor1.com/news/703064/xiaomi-su7-onallo-parkolas-video/ Xiaomi(……

2025.07.07

BAW発振器:Texas Instruments LMK6C 構造解析レポート

パッケージ 機能ブロック図 (引用) 水晶発振器に対するスタンドアロン BAW 発振器の利点 https://www.ti.com/lit/gpn/LMK6C 概要  高精度・高速なクロック……

2025.07.07

コンプレッサ:Cadillac Lyriq搭載基板回路解析レポート

Cadillac Lyriq 引用:https://www.cadillacjapan.com/electric/lyriq/gallery ESH34/41 基板 (Top View……

2025.06.05

インバータ:TESLA CYBERTRUCK搭載 回路解析レポート

  CYBERTRUCK(Web情報より) 引用: https://www.tesla.com/ja_jp/cybertruck インバータ 外観   概要  TES……

2025.06.03

PTCヒータ:WOORY Industrial 小米 SU7 搭載 基板回路解析レポート

Xiaomi SU7(Web情報より) PTCヒータ外観 搭載基板 引用: https://www.marklines.com/ja/green_vehicles/model/1545 ……

2025.06.03

SiC MOSFET(1200V):中国CR MICRO CRXQF40M120G2Z 概要、構造解析レポート

パッケージ SiC MOSFETチップ 概要  中国のSiC市場は、自動車の電動化を背景に急速に成長しており、中国のSiCメーカーの動向には注目していく必要があります。   CR MICRO……

2025.06.03

Si SJ MOSFET(600V):東芝DS DTMOSVI TK024N60Z1 概要解析レポート

パッケージ写真 Si MOSFETチップ写真 概要  2025年3月、東芝DSからSuperJunction構造のDTMOS VI 600V Si MOSFETの中で最小のオン抵抗(=24mΩ(……

2025.06.03

SiC MOSFET(1200V): BYD Semiconductor BSK080S120 構造、プロセスと電気特性評価、短絡耐量評価レポート

パッケージ外観 SiC MOSFETチップ 概要  中国BYD社は世界最大のxEVメーカーであり、BYD Semiconductorもパワー半導体(IGBT、パワーモジュール)の研究開発・製造に……

2025.06.03

SiC MOSFET(1200V):Navitas(GeneSiC) G3F34MT12K 概要、構造、プロセス電気特性解析レポート

TO-247-4 パッケージ SiC MOSFETチップ 概要  2024年6月、Navitas (GeneSiC:2022年にNavitasが買収)は、新しい第3世代「高速G3F」MOSFET……

2025.06.03

SiCパワーモジュール (3300V):Infineon FF4000UXTR33T2M1 モジュール、SiC MOSFET構造解析レポート

モジュール外観 チップ全体像 (Top metal layer) 概要  鉄道などのトラクションシステムの高効率化、太陽光、風力発電、蓄電システムの需要拡大によりInfineonから高電圧、大電力用途……

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