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ホーム販売レポート

2024.07.29

IGBTパワーモジュール(750V)：BYD製(ATTO 3搭載) BG820F08B14L5 モジュール、IGBT構造解析レポート

https://www.byd.com/jp/car/atto3 モジュール外観 IGBTチップ写真 概要 ・中国のEV（電気自動車）最大手のBYD(比亜迪）は、 2022年2月に中国で「ATTO 3」を販売……

2024.07.29

SiC MOSFET(1200V)： Coherent社製 TM3B0020120A 構造解析レポート

    パッケージ外観 SiC MOSFETチップ レポート概要 　米国Coherent社（旧II-Vi社）は、WolfspeedやSiCrystal社などと競合する世界的なS……

2024.07.29

バッテリマネジメントIC：Analog Devices製 ADBMS6832 回路解析レポート

Package  Package X-Ray DieA Overview 概要 　電気自動車やハイブリッド車に搭載されるバッテリマネジメントシステムでは、安全性を高めるために監視系の冗長性……

2024.07.29

OLEDパネル：iPad Pro (11inch)搭載OLEDティアダウンレポート

  iPad Pro(表示状態) 画素OM(表示状態) 画素OM 概要 2024年5月、AppleがiPadに初めてOLEDを搭載したiPad Proを発表しました。 11インチ……

2024.07.08

SiC MOSFET(650V～1700V)： Epi（Drift＋Buffer）層調査解析レポート

背景と概要 ・ SiC MOSFETの基板内 Epi (Drift) 層は最大動作電圧と耐圧電圧を決定することに加え、縦型トランジスタの表面活性層の結晶欠陥の悪影響を軽減するために、各社独自の構造を採用しています。　SiC基板はまだ標準化……

2024.07.08

GaN FET (150V)：Innoscience製 INN150LA070A 概要解析レポート

パッケージ外観 GaN FETチップ写真 概要 　近年、データセンター機器や通信機器、電気自動車(EV)などの48Vアプリケーション向けに、150V GaN FET (主要メーカ……

2024.07.08

SiCパワーモジュール(650V)：STMicroelectronics製 (Tesla Model Y 2023年型搭載) 構造解析レポート

モジュール外観 搭載SiC MOSFET パッケージ 搭載SiC MOSFETチップ レポート概要 　Tesla Model YはSUVタイプのBEV(バッテリEV……

2024.07.08

CMOSイメージセンサー：ソニー製デジタルカメラα9III搭載 構造解析レポート

α9III (ILCE-9M3) 引用：https://www.sony.jp/ichigan/products/ILCE-9M3/ パッケージ外観 概要 ・2024年1月にソ……

2024.07.04

画像処理IC：ソニー製デジタルカメラα9III搭載 CXD4203GG構造解析レポート

α9III (ILCE-9M3) 引用：https://www.sony.jp/ichigan/products/ILCE-9M3/ パッケージ 概要 ・2024年1月にソニー……

2024.07.04

バッテリ冷却ブロワ：日産NOTE AURA搭載 ティアダウンレポート、基板解析レポート

日産 NOTE AURA 引用： https://www3.nissan.co.jp/vehicles/new/aura.html バッテリ冷却ブロワ 外観 搭載基板 ……

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