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新着情報
2023.12.13
パワーモジュール外観 パワーモジュール内部 SiC MOSFETチップ レポート概要 Lucid Motorsは2020年9月、高級電気自動車として「Lucid ……
パッケージ外観 チップ写真 トランジスタセル 断面 レポート概要 ・効率の向上や電力密度の向上を目的として、産業用モータドライブ、ソーラーインバータ、データセンターおよびテ……
製品外観 表示状態 素子基板:アノード層 素子基板:反表示面 トップエミッションタイプ 駆動トランジスタ部の最下層に……
2023.11.16
光学顕微鏡写真(S23 Ultra) 平面SEM写真(S23 Ultra) 断面SEM写真(S23 Ultra) レポート概要 Galaxy S23 Ultraの……
レポート概要 約20年前に初めて商業的に導入されたSiC ショットキーバリアダイオード (SBD) は、(Si PN ダイオードと比較して) 非常に低いターンオン電圧、単極キャリア伝導により逆回復電流を無視できるため、パワーエレクトロニ……
Package X線写真 Chip Overview レポート概要 近年、自動車分野においては、電気自動車や自動運転技術の進歩に伴う技術革新により、電子部品の搭載数……
2023.09.13
TOYOTA LEXUS RZ450e (WEB情報より) モジュール外観 チップ写真 レポート概要 ・トヨタ レクサスから、フル電動のバッテリーEV(BEV)専用……
レポート概要 ・パワーデバイスの短絡耐量(SCWT)は、耐久性、信頼性を表す重要な指標となります。 歩留まり、コストの問題から、Si-IGBTに比べてSiC-MOSFETは……
製品概要と特長 ・STMicro は、2021 年末に第 3 世代の SiC MOSFET テクノロジを発表。SCT040W120G3AGは、この技術を使用した同社最新プレーナ型MOSFETの製品となり……
パッケージ写真 チップ写真 (GaN HEMT) チップ写真 (保護ダイオード) レポート概要 ・近年、GaNデバイスは高速スイッチングの特性優位性から、電源アプリ……
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