SiC MOSFET(1200V)： 東芝デバイス＆ストレージ製 (TW060N120C) 構造解析、プロセス解析レポート

パッケージ写真	チップ写真	セル部断面写真

製品概要

2022年7月、東芝DS社は第3世代となるSiC MOSFETを開発し、同年8月から量産を開始した(TWxxNxxxCシリーズ)。

この新製品は、第2世代品と比較して、単位面積あたりのオン抵抗(RONxA)を約 43% 低減、ドレイン – ソースのオン抵抗、ゲート – ドレイン電荷を低減により、スイッチング損失が約20%削減されている。

製品特徴

SiC MOSFETのP型の拡散領域（P-well）の下側に窒素を注入。これにより、広がり抵抗（Rspread）を削減し、SBDの電流を増加。　

また、JFET領域にも窒素を注入し、JFETの面積を小さくしている。

レポート内容

① 東芝 第3世代 1200V SiC MOSFET 構造解析レポート 

　価格85万円（税別)　発注後1weekで納品

　・パッケージ観察、チップ観察

　・SiC MOSFET平面解析：　配線接続、レイアウト確認

　・SiC MOSFET断面解析：　セル部、チップ終端部

　・SiC MOSFET断面SCM + ライン解析：　セル部

　・第3世代650V SiC MOSFETや第2世代との構造比較

② 東芝 第3世代1200V SiC MOSFET プロセス解析レポート

　価格60万円（税別)　発注後1weekで納品　

　・電気特性評価、電気的特性とデバイス構造の関係

　・製造プロセスフローの推定およびデバイス特性解析

　・第2世代品、ローム、WLFSPD、Infineonなど他社との比較

③ 東芝 第3世代1200V SiC MOSFET 短絡耐量評価レポート

　価格60万円（税別)　発注後1weekで納品　

　詳しくはこちら。

レポートパンフレット

SiC MOSFET(1200V)： 東芝デバイス＆ストレージ製 (TW060N120C) 構造解析、プロセス解析レポート

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