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販売レポート
パッケージ内部 ゲート駆動ICのチップ外観 概要 カーボンニュートラルの達成や脱炭素社会の実現のために、SiのパワーデバイスをSiCやGaNで置き換えることでの低損失化が期待さ……
パッケージ内部（Bottom View） ゲート駆動ICのチップ外観 概要 車載システムの電動化に伴いパワーデバイスがキーデバイスとなり、特にSiCとGaNの採用による性能……
パッケージ内部 チップ外観(一次側チップ) 解析対象ブロック レポート概要 今回は、Infineon製 Gate Driver(1EDI3020AS)の……
パッケージ外観 パッケージ内部 チップ外観(二次側チップ) 概要 EV車載インバータにおいて、搭載面積、コスト面の削減が可能なことからフライ……
PKG写真 X線 GaN HEMTチップ 回路構成 レポート概要 英国の新興企業であるCambridge GaN Devices社（CGD）は、シン……
PKG写真 SiC MOSFET写真 レポート概要 2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSF……
PKG写真 SiC MOSFET写真 セル部 断面SEM写真 レポート概要 本製品はON Semiconductor製のSiCパワーデバイス製品群である「Elit……
Kia EV6 GT (WEB情報より) パワーカード外観 SiC MOSFET写真 レポート概要 Kia EV6 GTは、 2021年3月に現代自動……
パワーモジュール外観 パワーモジュール内部 SiC MOSFETチップ レポート概要 Lucid Motorsは2020年9月、高級電気自動車として「Lucid ……
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