販売レポート

半導体

SiC MOSFET(1200V):SemiQ Gen3 GP3T040A120H 概要,構造解析レポート

パッケージ SiC MOSFETチップ レポート概要  SemiQから最新の第3世代SiC MOSFETが発表されました。この第3世代の製品は、第2世代と比較してチップサイズの縮小に加えて、 R……

半導体

パワーMOSFET:Nexperia CCPAK1212,LFPAK88 パッケージ比較解析レポート

CCPAK1212パッケージ LFPAK88パッケージ レポート概要  Nexperiaは新しいCuクリップCCPAK1212パッケージを採用した80V/100Vのパワ-MOSF……

半導体

Si SJ MOSFET (600V): Infineon CoolMOS C8世代 IPW60R037CM8 構造解析レポート

パッケージ Si MOSFET (チップ) レポート概要  600~650V のパワーMOSFETは、幅広い産業用アプリケーションをカバーするデバイスとして 注目されており、各社Si、化合物な……

半導体

車載向けBattery Management IC:Texas Instruments BQ79758-Q1 リファレンスブロック回路解析レポート

□ リファレンスブロック Package外観 チップ写真 レポート概要  本ICはTexas Instruments社の第7世代のバッテリマネジメントICで、この世代よりセル電圧センシング……

半導体

SiC MOSFET (1200V) INFINEON 第2世代CoolSiC IMZC120R078M2H 短絡耐量評価・解析レポート

チップ写真 レポート概要  INFINEONは2024年3月にCoolSiC 1200V第2世代MOSFETを発表しました[1]。 これは高評価を受けており、xEVモーターインバータモジュールに……

民生品
半導体

PMIC: Texas Instruments TPS1685 概要解析レポート

パッケージ外観 X線像 レポート概要  データセンターでは、高性能コンピューティングや人工知能(AI)の導入が進む中、高密度かつ効率的な電源ソリューションが求められています。  2025年4月……

半導体

SiC MOSFET (1200V):NAVITAS-GeneSiC G3F75MT12K 短絡耐量評価・解析レポート

チップ写真 レポート概要  2024年6月、NAVITAS-GeneSiCは前世代G3Rプロセスおよびデバイス技術の改良版として、G3F(Fast)技術を発表しました[1]。G3Fは、(i)スイッ……

半導体

GaN FET(40V):Nexperia 双方向GaN GANB4R8-040CBAZ パッケージ、GaN FET構造解析レポート

パッケージ外観 (WLCSP) レポート概要  近年、GaNパワーデバイスが注目されており、2025年のPCIM(世界最大級のパワー半導体の展示会)では双方向GaNデバイスの提案が多数見られます。……

半導体

SiCパワーモジュール(1200V): NAVITAS G3F17MT12FB2 SiCPAK モジュール構造・材料解析レポート

G3F17MT12FB2パッケージ(SiCPAK) 等価回路 引用:データシートより (URLは下記参照) レポート概要  NAVITASは、モールド樹脂を使用することで熱サイクル耐性……

半導体

GaN FET(600~700V):Navitas GaN FET(GaNsafe, GaNslim, GaNsense Halfbridge, Halfbridge Motordrive)概要解析比較レポート

GaNsafe GaNslim GaNsense Halfbridge GaNsense Halfbridge Motordrive パッケージ外観 レポート概要  N……

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