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販売レポート
G3F17MT12FB2パッケージ（SiCPAK） 等価回路 引用：データシートより (URLは下記参照) レポート概要 NAVITASは、モールド樹脂を使用することで熱サイクル耐性……
GaNsafe GaNslim GaNsense Halfbridge GaNsense Halfbridge Motordrive パッケージ外観 レポート概要 N……
パッケージ SiC MOSFETチップ レポート概要 2019年に設立されたSiCパワーデバイス事業のファブレス設計会社であるfastSiC (台湾 新竹市)は、台湾の大手EMS(電子機器受託……
Package外観 チップ構成 レポート概要 本製品は1200V級SiC/IGBT駆動向けの磁気絶縁型シングルチャネルゲートドライバであり、メーカーは中国の自動車メーカーBYD傘下のBYD S……
モジュール外観 モジュール内部 IGBT外観 概要 InfineonのHybridPACK Drive G2 型名：FS520R12A8P1LB (1200 V/520 A) は、6パッ……
パッケージ SiC MOSFETチップ 概要 中国のSiC市場は、自動車の電動化を背景に急速に成長しており、中国のSiCメーカーの動向には注目していく必要があります。 CR MICRO……
パッケージ写真 Si MOSFETチップ写真 概要 2025年3月、東芝DSからSuperJunction構造のDTMOS VI 600V Si MOSFETの中で最小のオン抵抗(=24mΩ(……
パッケージ外観 SiC MOSFETチップ 概要 中国BYD社は世界最大のxEVメーカーであり、BYD Semiconductorもパワー半導体（IGBT、パワーモジュール）の研究開発・製造に……
TO-247-4 パッケージ SiC MOSFETチップ 概要 2024年6月、Navitas (GeneSiC：2022年にNavitasが買収)は、新しい第3世代「高速G3F」MOSFET……
モジュール外観 チップ全体像 (Top metal layer) 概要 鉄道などのトラクションシステムの高効率化、太陽光、風力発電、蓄電システムの需要拡大によりInfineonから高電圧、大電力用途……
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