販売レポート

半導体

GaN FET(100V): Efficient Power Conversion Corporation 双方向GaN EPC2121 パッケージ、GaN FET構造解析レポート

パッケージ外観 レポート概要  近年、各社から電流を双方向に流せるGaNパワーデバイスの発表が行われており、2025年の世界最大級のパワー半導体の展示会PCIMでも双方向GaNは注目されています。……

半導体

SiC MOSFET (1200V):短絡耐量調査・ベンチマークレポート (2025年版)

レポート概要  LTECは2020年に世界初のSiC MOSFETの短絡耐性評価・比較レポート (19G-0025-1)を、2023年には第3世代および第4世代デバイス技術を網羅したアップデートレポート(22G-1100-1)をリリースし……

半導体

GaN FET(650V): Navitas NV6514C 制御チップ 回路解析レポート

パッケージ外観 パッケージ X線 制御チップ外観 (出典) Datasheet P.11 Figure 20. GaNSafe Block Diagram  https://nav……

半導体

iToFセンサー:onsemi AF0130 構造、レイアウト解析レポート

      AF0130チップ写真 レポート概要  iToF(indirect Time-of-Flight)センサーは、高精度な距離画像を低消費電力で取得できることから、スマートフォンの3……

半導体

SiC Cascode JFET(750V):onsemi Gen4 UJ4C075018K4S 概要、構造解析レポート

パッケージ外観 SiC JFETチップ レポート概要  2025年1月、onsemiはQorvoの子会社United Silicon Carbide (UnitedSiC)を含むSiC JFET……

半導体

SiC MOSFET(1200V):SemiQ Gen3 GP3T040A120H 概要,構造解析レポート

パッケージ SiC MOSFETチップ レポート概要  SemiQから最新の第3世代SiC MOSFETが発表されました。この第3世代の製品は、第2世代と比較してチップサイズの縮小に加えて、 R……

半導体

パワーMOSFET:Nexperia CCPAK1212,LFPAK88 パッケージ比較解析レポート

CCPAK1212パッケージ LFPAK88パッケージ レポート概要  Nexperiaは新しいCuクリップCCPAK1212パッケージを採用した80V/100Vのパワ-MOSF……

半導体

Si SJ MOSFET (600V): Infineon CoolMOS C8世代 IPW60R037CM8 構造解析レポート

パッケージ Si MOSFET (チップ) レポート概要  600~650V のパワーMOSFETは、幅広い産業用アプリケーションをカバーするデバイスとして 注目されており、各社Si、化合物な……

半導体

車載向けBattery Management IC:Texas Instruments BQ79758-Q1 リファレンスブロック回路解析レポート

□ リファレンスブロック Package外観 チップ写真 レポート概要  本ICはTexas Instruments社の第7世代のバッテリマネジメントICで、この世代よりセル電圧センシング……

半導体

SiC MOSFET (1200V) INFINEON 第2世代CoolSiC IMZC120R078M2H 短絡耐量評価・解析レポート

チップ写真 レポート概要  INFINEONは2024年3月にCoolSiC 1200V第2世代MOSFETを発表しました[1]。 これは高評価を受けており、xEVモーターインバータモジュールに……

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