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販売レポート
パッケージ外観 チップ外観 レポート概要 Nomis Power社は、アメリカにあるアルバニー大学のスピンアウトとして2020年に設立され、024年に同社初の1200V SiC MOSFET製……
パッケージ外観 GaN FET + Si MOSFET チップ全体像 レポート概要 ルネサスエレクトロニクスは、高耐圧650Vの窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発売し、量産を開始し……
Navitas：SiCPAK Navitas：G3F75MT12K 三菱電機：J1シリーズ(CT700CJA060) レポート概要 パワー半導体モジュールの封止方法はシリコーンゲル封止法……
XRotor X6 Plus 外観 制御基板 外観 ドライバ基板外観 LED基板外観 レポート概要 HOBBYWINGは、ESCやモーターの開発を行っている2005年に設立され……
Package 外観 チップ写真 レポート概要 本ICはTexas Instruments社の第7世代のバッテリマネジメントICで、この世代よりセル電圧センシング回路（VC回路）毎に個……
レポート概要 エルテックでは、SiC SBDに関するベンチマークレポートやInfineon社など世界大手メーカーのSiC SBD構造解析レポートを販売しておりますが、現在台頭が目立つ中国メーカーのSiC SBD製品についても同様に着目す……
AW2K21 WLCSPパッケージ (引用)データシートより(URLは下記参照) レポート概要 スマートフォンや小型電子機器における急速充電の需要が高まる中、低消費電力かつ省スペースに貢献する……
パッケージ SiC MOSFETチップ レポート概要 中国は2024年のSiCパワー半導体の販売額で、上位10社中3社を占めるほどにシェアを伸ばしています。今後もEV（電気自動車）や再生可能エ……
パッケージ 内部レイアウト レポート概要 IGBTは、高効率でスイッチング動作を行えるため、IH(電磁調理器)、電子レンジや炊飯器といった生活家電製品のインバータ回路のスイッチング素子としても……
パッケージ外観 レポート概要 近年、各社から電流を双方向に流せるGaNパワーデバイスの発表が行われており、2025年の世界最大級のパワー半導体の展示会PCIMでも双方向GaNは注目されています。……
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