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販売レポート
モジュール外観 搭載SiC MOSFETチップ レポート概要 2024年6月、中国StarPower Semiconductorは、800V EV駆動用SiCパワーモジュール を発表しました……
レポート背景と概要 GaNベースのパワーデバイスは、SiC MOSFETよりもはるかに高い周波数で動作できるため、ACアダプタ、電源、BLDCモータードライバー、AI電源などのアプリケーションで大きな注目を集めています。さらに、新しいG……
TO-247-4 IMZC140R038M2H チップ写真 レポート背景と概要 Infineonにて、1400V SiC MOSFETの生産が2025年6月から開始されました。 本製品は、……
Main PCB Package Removed of heat sink 製品概要 Intel Xeon 6980P を搭載したサーバーは、次世代データセンター向けに設計された超高性能プ……
パッケージ写真（表） GaN FET 写真 レポート概要 GaNデバイスは、EV市場における電力効率の飛躍的向上、小型化、高電力密度化を実現するキーテクノロジーとして注目を集めています。中でも……
NVIDIA DGX Spark™製品外観 搭載基板 レポート概要 NVIDIA DGX Spark™は、GB10 Grace Blackwell Superch……
パッケージ SiC MOSFETチップ レポート概要 Silan Microelectronics（士蘭微電子）は、中国・杭州に本社を置く半導体メーカーで、近年はSiCを中心としたパワー半導体……
モジュール外観 搭載SiC MOSFETチップ レポート概要 2024年6月、中国StarPower Semiconductorは、800V EV駆動用SiCパワーモジュール を発表しました。……
パッケージ写真（表） モジュール内部配置 搭載GaN FET 写真 レポート概要 2024年11月、Power Integrationsは 業界初となる1700V GaNスイッチ「P……
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