販売レポート

半導体

SiC MOSFET(1200V): NAVITAS G3F17MT12FB2 SiCPAK 封止樹脂解析レポート

Navitas:SiCPAK Navitas:G3F75MT12K 三菱電機:J1シリーズ(CT700CJA060) レポート概要  パワー半導体モジュールの封止方法はシリコーンゲル封止法……

半導体

ESC:HOBBYWING XRotor X6 Plus 基板回路解析レポート

XRotor X6 Plus 外観 制御基板 外観 ドライバ基板外観 LED基板外観 レポート概要 HOBBYWINGは、ESCやモーターの開発を行っている2005年に設立され……

半導体

車載向けBattery Management IC:Texas Instruments BQ79758-Q1 デイジーチェーン通信I/F回路解析レポート

Package 外観 チップ写真 レポート概要  本ICはTexas Instruments社の第7世代のバッテリマネジメントICで、この世代よりセル電圧センシング回路(VC回路)毎に個……

半導体

SiC SBD (1200V):中国3社 (Global Power Technology, Inventchip, Sanan) 概要解析比較レポート

レポート概要  エルテックでは、SiC SBDに関するベンチマークレポートやInfineon社など世界大手メーカーのSiC SBD構造解析レポートを販売しておりますが、現在台頭が目立つ中国メーカーのSiC SBD製品についても同様に着目す……

半導体

MOSFET:ローム AW2K21 パッケージ/MOSFET解析レポート

AW2K21 WLCSPパッケージ (引用)データシートより(URLは下記参照) レポート概要  スマートフォンや小型電子機器における急速充電の需要が高まる中、低消費電力かつ省スペースに貢献する……

半導体

SiC MOSFET(1200V):LGE LGE3M18120Q 概要解析レポート

パッケージ SiC MOSFETチップ レポート概要  中国は2024年のSiCパワー半導体の販売額で、上位10社中3社を占めるほどにシェアを伸ばしています。今後もEV(電気自動車)や再生可能エ……

半導体

Si IGBT(1600V):STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 概要解析レポート

パッケージ 内部レイアウト レポート概要  IGBTは、高効率でスイッチング動作を行えるため、IH(電磁調理器)、電子レンジや炊飯器といった生活家電製品のインバータ回路のスイッチング素子としても……

半導体

GaN FET(100V): Efficient Power Conversion Corporation 双方向GaN EPC2121 パッケージ、GaN FET構造解析レポート

パッケージ外観 レポート概要  近年、各社から電流を双方向に流せるGaNパワーデバイスの発表が行われており、2025年の世界最大級のパワー半導体の展示会PCIMでも双方向GaNは注目されています。……

半導体

SiC MOSFET (1200V):短絡耐量調査・ベンチマークレポート (2025年版)

レポート概要  LTECは2020年に世界初のSiC MOSFETの短絡耐性評価・比較レポート (19G-0025-1)を、2023年には第3世代および第4世代デバイス技術を網羅したアップデートレポート(22G-1100-1)をリリースし……

半導体

GaN FET(650V): Navitas NV6514C 制御チップ 回路解析レポート

パッケージ外観 パッケージ X線 制御チップ外観 (出典) Datasheet P.11 Figure 20. GaNSafe Block Diagram  https://nav……

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