新着情報

2025.06.03

SiC MOSFET(1200V):中国CR MICRO CRXQF40M120G2Z 概要、構造解析レポート

パッケージ SiC MOSFETチップ 概要  中国のSiC市場は、自動車の電動化を背景に急速に成長しており、中国のSiCメーカーの動向には注目していく必要があります。   CR MICRO……

2025.06.03

Si SJ MOSFET(600V):東芝DS DTMOSVI TK024N60Z1 概要解析レポート

パッケージ写真 Si MOSFETチップ写真 概要  2025年3月、東芝DSからSuperJunction構造のDTMOSVI 600V Si MOSFETの中で最小のオン抵抗(=24mΩ(m……

2025.06.03

SiC MOSFET(1200V): BYD Semiconductor BSK080S120 構造、プロセスと電気特性評価、短絡耐量評価レポート

パッケージ外観 SiC MOSFETチップ 概要  中国BYD社は世界最大のxEVメーカーであり、BYD Semiconductorもパワー半導体(IGBT、パワーモジュール)の研究開発・製造に……

2025.06.03

SiC MOSFET(1200V):Navitas(GeneSiC) G3F34MT12K 概要、構造、プロセス電気特性解析レポート

TO-247-4 パッケージ SiC MOSFETチップ 概要  2024年6月、Navitas (GeneSiC:2022年にNavitasが買収)は、新しい第3世代「高速G3F」MOSFET……

2025.06.03

SiCパワーモジュール (3300V):Infineon FF4000UXTR33T2M1 モジュール、SiC MOSFET構造解析レポート

モジュール外観 チップ全体像 (Top metal layer) 概要  鉄道などのトラクションシステムの高効率化、太陽光、風力発電、蓄電システムの需要拡大によりInfineonから高電圧、大電力用途……

2025.05.02

SiC SBD (2000V):Infineon IDYH25G200C5 概要、構造解析レポート

パッケージ外観 SiC SBDチップ 概要  パワーデバイスのTOPメーカーであるInfineon社は、今後需要が高まると予想される高電圧電源を使用するアプリケーションをターゲットとして、Coo……

2025.05.02

インバータ:UAES製(小米 SU7搭載)詳細回路解析レポート

Xiaomi SU7(Web情報より) 引用: https://hu.motor1.com/news/703064/xiaomi-su7-onallo-parkolas-video/ e-Axle……

2025.05.02

Chiplet: Intel Core Ultra 7 series 2 Lunar Lake パッケージ平面解析レポート & 断面構造解析レポート

パッケージ外観 パッケージ構造(概念図) 出典:日経クロステック Active 概要  Intelは先を越されたAMDに対応して、48TOPSのNPUを搭載する新プロセッサー「Lunar La……

2025.05.02

家庭用蓄電池:テスラ蓄電池POWERWALL3 ティアダウンレポート

TESLA PowerWall3 外観&内部 外観:https://nakedsolar.co.uk/storage/tesla-powerwall-3/ 出典:一般社団法人日本電機工業会 概要……

2025.04.08

SiCパワーモジュール(2300V):Wolfspeed CAB6R0A23GM4T モジュール、SiC MOSFET概要、構造解析レポート

モジュール俯瞰像 正面 モジュール内部レイアウト SiC MOSFETチップ レポート概要  現在、再生可能エネルギー業界において太陽光発電やエネルギー貯蔵などの市場は急速に成長しており、15……

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