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販売レポート
Kia EV6 GT (WEB情報より) パワーカード外観 SiC MOSFET写真 レポート概要 Kia EV6 GTは、 2021年3月に現代自動……
PKG写真 SiC MOSFET写真 レポート概要 2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSF……
パワーモジュール外観 パワーモジュール内部 SiC MOSFETチップ レポート概要 Lucid Motorsは2020年9月、高級電気自動車として「Lucid ……
パッケージ外観 チップ写真 トランジスタセル 断面 レポート概要 ・効率の向上や電力密度の向上を目的として、産業用モータドライブ、ソーラーインバータ、データセンターおよびテ……
Package X線写真 Chip Overview レポート概要 近年、自動車分野においては、電気自動車や自動運転技術の進歩に伴う技術革新により、電子部品の搭載数……
レポート概要 ・パワーデバイスの短絡耐量（SCWT）は、耐久性、信頼性を表す重要な指標となります。 歩留まり、コストの問題から、Si-IGBTに比べてSiC-MOSFETは……
製品概要と特長 ・STMicro は、2021 年末に第 3 世代の SiC MOSFET テクノロジを発表。SCT040W120G3AGは、この技術を使用した同社最新プレーナ型MOSFETの製品となり……
パッケージ写真 チップ写真 (GaN HEMT) チップ写真 (保護ダイオード) レポート概要 ・近年、GaNデバイスは高速スイッチングの特性優位性から、電源アプリ……
ADXL367(新製品) ADXL362(従来品) 概要 ・2022年5月にADIより3軸MEMS加速度センサADXL367が発売された。 ・旧製品（ADXL362）と比較して、小型化、低消費電力、分解……
レポート概要 ・パワーデバイスの短絡耐量（SCWT）は、耐久性、信頼性を表す重要な指標となります。歩留まり、コストの問題から、Si-IGBTに比べてSiC-MOSFETはチップサイズを小さくしたい（……
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